Diodes Incorporated Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C

Le transistor NPN V_CE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C de Diodes Incorporated dispose d'une structure propriétaire pour atteindre une performance V_CE(SAT) ultra-faible et des températures de fonctionnement plus basses, minimisant les besoins de gestion thermique et améliorant la fiabilité à long terme. Les caractéristiques techniques du DXTN69060C de Diodes Incorporated incluent une tension de rupture (BV_CEO) supérieure à 60 V, un courant collecteur continu de 5,5 A et une tension de saturation faible inférieure à 45 mV à 1 A. Avec un courant élevé R_CE(sat) standard à 24 mΩ, une caractérisation hFE jusqu'à 6 A, une dissipation d'énergie de 2 W et une commutation rapide avec un temps de stockage court, ce transistor est conçu pour une performance efficace et fiable dans les applications haute puissance.