Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V
MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V de Diodes Incorporated fournit une faible résistance à l’état passant dans un boîtier compact et thermiquement efficace. Les dispositifs offrent une performance de commutation supérieure et sont idéaux pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement Les MOSFET DMT31M8LFVWQ de Diodes Inc. sont disponibles dans un boîtier PowerDI®3333-8 avec un flanc mouillable pour de meilleures inspections visuelles.
Caractéristiques
- Faible RDS(ON) – garantit que les pertes à l'état passant soient minimisées
- Le boîtier à petit facteur de forme et à rendement thermique élevé permet d'obtenir des produits finaux à plus haute densité
- Il occupe seulement 33 % de la surface de carte occupée par le boîtier SO-8, ce qui permet d’obtenir un produit final plus petit
- Flanc mouillable pour une inspection optique améliorée
- Finition sans plomb et conforme à la directive RoHS
- Dispositif « vert » sans halogène ni antimoine
- Pour les applications automobiles nécessitant un contrôle de modification spécifique
Applications
- Rétro-éclairage
- Fonctions de gestion de la consommation d'énergie
- Convertisseurs CC-CC
Caractéristiques techniques
- Boîtier PowerDI®3333-8
- Matériau d'emballage en plastique moulé, composé à moulage « vert »
- Classification d'inflammabilité UL 94V-0
- Niveau de sensibilité à l'humidité : 1 selon la norme J-STD-020
- Finition étain mat recuit sur cadre conducteur en cuivre
- Soudable selon la norme MIL-STD-202, méthode 208
- Poids : 0,003 g (approximatif)
Circuit d'application
Publié le: 2025-10-21
| Mis à jour le: 2025-11-09