Diodes Incorporated MOSFET de puissance SiC à canal N 1 200 V DMWS120H100SM4
Le MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N 1 200 V DMWS120H100SM4 de Diodes Inc. est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Il permet une densité et un rendement élevés dans les pilotes de moteurs industriels, les systèmes d’énergie photovoltaïque, les convertisseurs CC-CC et les alimentations pour les centres de données et les télécommunications. La faible RDS(ON) de ce dispositif, associée à un faible Qg à un pilote de grille de 15 V valant 52 nC, permet aux concepteurs de systèmes de maximiser le rendement tout en assurant une dissipation minimale de puissance. Le boîtier DMWS120H100SM4 TO247-4 de diodes Inc. comprend une broche de détection Kelvin supplémentaire dans le quatrième fil qui se connecte à la source et fournit la capacité d’optimiser les performances de commutation.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Valeur nominale de BVDSS élevée pour des applications de puissance
- Faible capacité d'entrée
- Finition sans plomb et conformité à la directive RoHS
- Dispositif vert sans halogène ni antimoine
Matériaux
- Le type de boîtier est un TO247-4
- Matériau du boîtier : plastique moulé, composé de moulage vert
- Classification d’inflammabilité UL 94V-0
- Les bornes sont finies en étain mat recuit sur cadre conducteur en cuivre
- Poids (approximatif) de 6,6 g
Applications
- Alimentations électriques de centres de données et de télécommunications
- Entraînement de moteur industriel
- Convertisseurs CC-CC
- Onduleurs solaires
- Chargeurs de batteries de véhicules électriques
Vidéos
Valeurs nominales maximales
Application standard
Publié le: 2023-05-12
| Mis à jour le: 2024-10-08