Diodes Incorporated Transistor avalanche basse tension FMMT411FDBWQ
Le transistor avalanche basse tension FMMT411FDBWQ de Diodes Incorporated est un transistor bipolaire planaire au silicium conçu pour fonctionner en mode avalanche. Un contrôle étroit des processus et un boîtier à faible inductance produisent des impulsions à courant élevé avec des bords rapides. Ce transistor bipolaire à jonction (BJT) de Diodes Incorporated est conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles.
Caractéristiques
- IUSB = 35 A standard
- BVCBO > 80 V
- BVCEO > 15 V
- Spécialement conçu pour un fonctionnement en mode avalanche basse tension
- Boîtier de 0,62 mm de haut à profil bas pour les applications minces
- Revêtement en étain sur paroi latérale pour flancs mouillables en AOI
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
- Dispositif vert sans halogène ni antimoine
- Le FMMT411FDBWQ est adapté aux applications automobiles nécessitant un contrôle de changement spécifique
- Certifié AEC-Q101, compatible PHPP et fabriqué dans des installations certifiées IATF16949
Caractéristiques techniques
- Boîtier W-DFN2020-3/SWP (Type A)
- Hauteur nominale du boîtier de 0,62 mm
- Le matériau du boîtier est un composé de moulage vert en plastique moulé. Indice d'inflammabilité UL 94V-0
- Sensibilité à l'humidité de niveau 1 selon J-STD-020
- Les bornes sont en finition étain mat et soudables selon MIL-STD-202, méthode 208
- Poids (0,01 g) (approximatif)
Applications
- Pilotes de diode laser pour la portée et la mesure (LIDAR)
- Systèmes radar
- Générateurs de commutateurs à bord rapide
- Générateurs d'impulsions haute vitesse
Dimensions du boîtier
Publié le: 2022-11-16
| Mis à jour le: 2022-11-23