Diodes Incorporated DMT26M0LDG MOSFET asymétriques à double canal N
Les MOSFET asymétriques à double canal N DMT26M0LDG de Diodes Inc. sont conçus pour minimiser la résistance à l’état passant [RDS(ON)] tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Ces MOSFET ont une tension de rupture drain-source (BVDSS) de 25 V. La résistance statique drain-source en fonctionnement [RDS(ON)] pour Q1 est de 6 mΩ à VGS = 10 V, 7,5 mΩ à VGS = 4,5 V ou Q2 est de 2,0 mΩ à VGS = 10 V, 3,1 mΩ à VGS = 4,5 V. La tension nominale du courant de drain continu (ID) pour Q1 est de 11,6 A à VGS = 10 V, 10,4 A à VGS = 4,5 V, ou Q2 est de 20,1 A à VGS = 10 V, 16,1 A à VGS = 4,5 V. Ces valeurs rendent ces dispositifs DMT26M0LDG de Diodes Inc. idéaux pour des applications de gestion d'énergie à haute efficacité.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Faible capacité d'entrée
- Vitesse de commutation élevée
- Faible fuite d'entrée/sortie
- Finition sans plomb et conforme à la directive RoHS
- Dispositif vert sans halogène ni antimoine
Caractéristiques techniques
- Boîtier PowerDI® 3333-8
- Matériau d'emballage en plastique moulé avec un composé de moulage vert et une classification de classement de la capacité d'inflammabilité UL 94V-0
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 selon J-STD-020
- Finition mate recuite sur terminal à cadre en cuivre et soudable selon la norme MIL-STD-202, Méthode 208.
- 0,072 grammes (environ) de poids
Schéma du circuit
Profil de boîtier
Publié le: 2025-09-23
| Mis à jour le: 2025-10-08