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Infineon Technologies MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobile 1200V G1

Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobiles 1 200 V G1 d'Infineon Technologies offrent une densité de puissance accrue, une efficacité supérieure et une fiabilité améliorée. Le portefeuille granulaire comprend des MOSFET SiC 1 200 V en boîtier TO-247-3pin, TO-247-4pin et D2PAK-7pin avec une RDS(on) comprise entre 8,7 mΩ et 160 mΩ, et une ID à +25 °C, d'un maximum de 17  A à 205 A. Une densité de puissance élevée, une efficacité supérieure, des capacités de chargement bidirectionnel et des réductions significatives des coûts système font des modules de MOSFET automobiles 1 200 V G1 CoolSiC™ d'Infineon Technologies un choix idéal pour les applications de chargeur embarqué et CC-CC. Les composants TO et CMS sont également fournis avec des broches de source Kelvin pour des performances de commutation optimisées.

Caractéristiques

  • Matériau révolutionnaire au carbure de silicium
  • Très faibles pertes de commutation
  • Tension d’allumage accrue VGS(on) de 20 V
  • Tension de pilotage compatible IGBT
  • Tension de grille d'arrêt 0 V
  • Tension de seuil de grille de référence de VGS(the) = 4,5 V
  • Meilleure énergie de commutation de sa catégorie
  • Faibles capacités de dispositif
  • Caractéristique à l’état passant sans seuil
  • Pertes de commutation d'arrêt indépendantes de la température
  • .Technologie de fixation de matrice XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie
  • Rapport dV/dt entièrement contrôlable
  • Broche de détection pour des performances de commutation optimisées
  • Adapté aux exigences de ligne de fuite HT
  • Fils minces pour un risque réduit de ponts de brasage
  • Diode de corps de commutation robuste, prête pour un redressement synchrone
  • Plage de température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C
  • Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Chargeurs embarqués et PFC
  • Amplificateurs et convertisseur CC/CC
  • Onduleurs auxiliaires

Vidéos

Ressources supplémentaires

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Publié le: 2024-01-09 | Mis à jour le: 2024-02-06