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Infineon Technologies Modules MOSFET CoolSiC série EasyPACK™ C

Les modules MOSFET CoolSiC série EasyPACK™ C d'Infineon Technologies associent des MOSFET à tranchées CoolSiC de deuxième génération à la plateforme série Easy C à faible inductance et à la technologie d'interconnexion .XT. Ces modules d'Infineon se distinguent par des pertes de commutation ultra-faibles, une meilleure maîtrise des éléments parasites et une robustesse accrue lors des cycles de puissance. Les broches PressFIT robustes, la sonde NTC intégrée, les brides de fixation intégrées et l'isolation à indice CTI élevé simplifient l'assemblage et assurent une fiabilité élevée dans les conditions d'utilisation les plus exigeantes. Disponibles en topologies four-pack de type pont en H (F4) et à trois niveaux (F3), ces modules sont proposés avec des résistances à l'état passant de 8 mΩ ou 13 mΩ afin d'augmenter la fréquence de commutation, de réduire la taille des composants magnétiques et d'accroître la densité de puissance tout en maintenant les performances CEM et une marge thermique suffisante.

Caractéristiques

  • Technologie MOSFET à tranchées CoolSiC M2 1200 V réduisant les pertes en conduction et en commutation
  • Architecture de module à faible inductance de la série EasyPACK C minimisant les surtensions transitoires, les oscillations parasites et les émissions CEM
  • Rendement accru et marge de fréquence élargie : les faibles valeurs d'EON et d'EOFF ainsi que la faible inductance parasite permettent d'obtenir des régimes transitoires plus propres et de réduire la taille des composants magnétiques sans compromettre les performances
  • Longévité optimisée dès la conception :la technologie d'interconnexion .XT renforce la robustesse mécanique et thermique afin d'améliorer la tenue aux cycles de puissance et d'étendre la plage de températures de fonctionnement
  • Disponibles avec résistance de 8 mΩ ou 13 mΩ
  • Large zone de fonctionnement sécurisé et qualification de qualité industrielle
  • Commande et protection maîtrisées : les améliorations apportées à l'oxyde de grille CoolSiC Gen2 et la mesure de température intégrée par NTC garantissent un comportement stable sur toute la plage de températures
  • Assemblage sans soudure et reproductible : les bornes PressFIT et les brides de fixation intégrées accélèrent la production et améliorent la fiabilité mécanique
  • Plateforme évolutive : l'empreinte et la disposition des broches Easy 2C, communes aux variantes four-pack (pont en H) et à trois niveaux, simplifient la réutilisation des circuits imprimés et les mises à niveau.
  • Isolation à CTI élevé avec distances de fuite et d'isolement optimisées pour les applications 1200 V

Applications

  • Bornes de recharge rapide CC pour véhicules électriques et chargeurs CC industriels (étages PFC et CC/CC)
  • Convertisseurs CC/CC haute fréquence isolés et non isolés (LLC, PSFB et architectures similaires)
  • Onduleurs string pour installations solaires et systèmes de stockage d'énergie (ESS) et étages NPC/T à trois niveaux
  • Alimentations sans interruption (ASI) et alimentations électriques industrielles hautes performances
  • Entraînements industriels et convertisseurs auxiliaires de traction

Vidéos

Ressources

Modules associés

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Technologie de contact PressFIT et capteur de température NTC intégré.

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Infineon Technologies Modules CoolSiC™ 1200 V

Ils sont dotés d'une haute densité de courant et d'une configuration à basse inductance avec une technologie de contact PressFIT et NTC.

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Numéro de pièce Fiche technique If - Courant direct Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Délai d'activation standard Délai de désactivation type
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 Fiche technique 50 A 95 A 16.8 mOhms 50.4 ns 63 ns
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 Fiche technique 55 A 95 A 16.8 mOhms 50.4 ns 63 ns
F413MXTR12C1M2H11BPSA1 F413MXTR12C1M2H11BPSA1 Fiche technique 30 A 60 A 25.2 mOhms 24 ns 48 ns
F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 Fiche technique 30 A 60 A 25.2 mOhms 24 ns 39 ns
F48MXTR12C2M2H11BPSA1 F48MXTR12C2M2H11BPSA1 Fiche technique 55 A 95 A 16.8 mOhms 47 ns 52.8 ns
F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 Fiche technique 55 A 100 A 16.8 mOhms 47 ns 46.1 ns
Publié le: 2026-04-17 | Mis à jour le: 2026-06-19