Infineon Technologies Carte d'évaluation EVAL 2ED2101 HB-LLC

La carte d'évaluation EVAL 2ED2101 HB-LLC Infineon Technologies démontre les performances de commutation du pilote de grille SOI côté haut et côté bas 2ED2101S06F. Le composant 2ED2101S06F est un pilote d'IGBT et de MOSFET de puissance haut débit à haute tension. Il est doté de canaux de sortie référencés côté haut et côté bas indépendants avec des fréquences de commutation de réservoir à résonance d'environ 500 kHz.

La carte d'évaluation EVAL 2ED2101 HB-LLC Infineon permet un prototypage rapide et un délai de commercialisation plus court.

Caractéristiques

Tension d'entrée de 350 à 425 VCC
Puissance maximale de 200 W à 16,7 A, alimentation d'entrée 400 VCC, refroidissement suffisant par écoulement d'air
Protection contre les surintensités
LED de mise sous tension

Carte contrôleur avec ICE2HS01G
Alimentation auxiliaire avec tensions 13 V et 5 V isolés pour alimentation côté secondaire
Carte de circuit imprimée 4 couches, 56 g de cuivre, 65 mm × 137 mm
Conformes RoHS

Équipement nécessaire

Alimentation électrique haute tension (capacité de courant min. 430 VCC, 1 A)
Charge résistive du courant de charge max. 16,7 A (charge électrique) ou résistance totale de 0,71 Ω