Infineon Technologies MOSFET OptiMOS™-5 automobiles 60 V IAUZ4xN06S5
Les MOSFET OptiMOS™-5 automobiles 60 V IAUZ4xN06S5 d'Infineon Technologies disposent d'une faible résistance drain-source à l'état passant, d'une faible charge de grille et d'une faible capacité de grille, minimisant ainsi les pertes de conduction et de commutation. Ces MOSFET à mode d'amélioration et à canal N disposent également d'une charge de récupération inverse extrêmement faible de 22,7 nC à 23,0 nC.
Les MOSFET OptiMOS-5 IAUZ4xN06S5 d'Infineon Technologies sont homologués AEC-Q101 pour les applications automobiles. L'IAUZ40N06S5 de 5,0 mΩ est disponible en boîtier S3O8 (PG-TSDSON-8) de 3 mm x 3 mm. L'IAUC41N06S5 de 10,2 mΩ est proposé en boîtier SS08 unique (PG-TDSON-8) de 5 mm x 6 mm.
Caractéristiques
- MOSFET de puissance OptiMOS pour applications automobiles
- Dispositifs de niveau logique à mode d'amélioration à canal N
- Qualification étendue au-delà d'AEC-Q101
- Tests électriques améliorés
- Structure solide
- MSL1 avec refusion de crête jusqu'à 260 °C
- Température de fonctionnement maximale 175 °C
- Produit écologique (conforme RoHS)
- Testé à 100 % en mode avalanche
Applications
- Applications automobiles générales
- CC-CC
- Éclairage LED
- Chargement sans fil
- ADAS
- Application (24 V) CAV
Caractéristiques techniques
- Tension de rupture drain-source (V(BR)DSS) 60 V
- Résistance à l'état passant drain-source (RDS(on))
- IAUZ40N06S5: 5.0mΩ
- IAUC41N06S5: 10.2mΩ
- Courant de drain continu (ID)
- IAUZ40N06S5: 90A
- IAUC41N06S5: 47A
- Tension grille source (VGS)
- IAUZ40N06S5: ±16V
- IAUC41N06S5: ±20V
- Dissipation de puissance
- IAUZ40N06S5: 71W
- IAUC41N06S5: 42W
- Charge de récupération inverse (Qrr)
- IAUZ40N06S5: 23nC
- IAUC41N06S5: 22.7nC
- Options de boîtier
- IAUZ40N06S5: 3mm x 3mm S3O8 (PG-TSDSON-8)
- IAUC41N06S5 : SS08 simple 5 mm x 6 mm (PG-TDSON-8)
Fiche technique
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Publié le: 2021-11-23
| Mis à jour le: 2022-03-11