Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 40 V pour l'automobile

Les MOSFET de puissance automobile OptiMOS™ 7 40 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à faible RDS(on) et courant élevé avec un comportement de commutation optimisé. Ces MOSFET automobile à canal N offrent une densité de puissance élevée densité, de faibles pertes de conduction, et une densité de courant élevée. Les MOSFET OptiMOS™ 7 sont livrés dans un boîtier avancé sans fils de 3 mm x 3 mm avec Cu-Clip pour une faible Ron du boîtier et une inductance parasite minimale. Ces MOSFET sont testés en avalanche à 100 % et conforme à la directive RoHS. Les MOSFET OptiMOS™ 7 sont idéaux pour des applications telles que la distribution d'énergie, les vérins de vitres, les sièges électriques, les EPS à haute redondance et les modules de contrôle de carrosserie.

Caractéristiques

  • Haute puissance et densité de courant
  • Boîtier à cadre de support thermique de haute capacité
  • Pertes en conduction réduites
  • Comportement de commutation optimisé
  • Capacité de courant : 60 A
  • Plage RDS(on) de 1,2 mΩ à 4,9 mΩ
  • VDS maximum de 40 V
  • ID (à 25 °C) de 60 A maximum
  • Encombrement réduit de 3 mm x 3 mm
  • Boîtier PG-TSDSON-8 conforme à la norme industrielle JEDEC
  • Testé à 100 % en mode avalanche
  • Conforme à la directive RoHS
  • Qualification AEC-Q101

Applications

  • Distribution de l’énergie
  • Modules de contrôle de carrosserie
  • Lève-vitre
  • Grille à levage à commande électrique
  • Siège à commande électrique
  • Frein de stationnement électrique
  • EPS à haute redondance
  • Petits moteurs BLDC

Profil de boîtier

Plan mécanique - Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 40 V pour l'automobile
Publié le: 2025-04-24 | Mis à jour le: 2026-01-15