Infineon Technologies MOSFET de puissance 100 V OptiMOS™ 6

Les MOSFET de puissance 100V OptiMOS™ 6 d'Infineon Technologies sont proposés dans des boîtiers SuperSO8 et PQFN 3,3 x 3,3, tout en étant optimisés pour les applications à haute fréquence de commutation telles que les télécommunications et l'énergie solaire, où les pertes sont associées aux charges (commutation) et à la résistance à l'état passant (conduction). De plus, en raison du meilleur R_DS(on) de sa catégorie et d'une zone de fonctionnement sécurisée plus large (SOA), le composant est également idéal pour les applications alimentées par batterie (BPA) et les systèmes de gestion de batterie (BMS).

Par rapport à la technologie OptiMOS™ 5, la technologie leader des tranches minces d'Infineon permet des améliorations significatives des performances - reportez-vous aux caractéristiques ci-dessous.

Caractéristiques

Par rapport à la génération précédente / technologie OptiMOS™ 5 :
- R_DS(on) inférieure de 18 % et SOA plus large
- FOM considérablement améliorées pour une efficacité accrue :
  - FOM Q_g x R_DS(on) = -29 %
  - FOM Q_gd x R_DS(on) = -42 %
- Charge de récupération inverse inférieure et plus douce (Q_rr)
Optimisé pour les applications à haute fréquence de commutation (p. ex. solaire, télécoms)
Réduction des coûts du système grâce à une conception thermique plus facile et moins de parallèle

Classé MSL 1 selon J-STD-020
Rapport prix/performance avantageux pour les applications à haute fréquence de commutation (p. ex. solaire, télécoms)
Faibles pertes de conduction
Faibles pertes de commutation
Allumage et extinction rapides
Conforme à la directive RoHS, sans plomb