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Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V d’Infineon Technologies présentent une faible résistance RDS(on) de pointe, des performances de commutation améliorées et un excellent comportement EMI qui contribuent à une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité inégalées. La technologie OptiMOS 6 offre des améliorations significatives par rapport à son prédécesseur, OptiMOS 5, notamment une résistance RDS(on) 41 % plus faible, un facteur de mérite FOMg de 20 % inférieur et un facteur de mérite FOMgd de 17 % inférieur. De plus, ces MOSFET présentent une robustesse élevée en matière d’avalanches et une température de jonction maximale de +175 °C, garantissant ainsi une exploitation robuste et stable dans des environnements exigeants. Avec un large portefeuille de boîtier, les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V d’Infineon sont conçus pour répondre aux exigences strictes des applications de fréquence à commutation élevée et faible, offrant une fiabilité améliorée du système et une durée de vie plus longue.

Caractéristiques

  • Pertes en conduction et de commutation faibles
  • Exploitation stable avec un EMI amélioré
  • Meilleur partage de courant lors du montage en parallèle
  • Robustesse améliorée
  • Fiabilité du système améliorée
  • Résistance drain-source à la fermeture [RDS(on)] ultra-faible - IPF036N15NM6, IPB038N15NM6, IPF048N15NM6, IPP038N15NM6, IPT034N15NM6 et IPTC034N15NM6
  • Figure de mérite (FOMg) inférieure de 20 % par rapport à OptiMOS 5 - IPB051N15NM6, IPB085N15NM6, IPB057N15NM6, IPP057N15NM6, IPT034N15NM6, IPT047N15NM6, IPTC034N15NM6 et ISC165N15NM6
  • Courant nominal élevé - IPT034N15NM6, IPT047N15NM6 et IPTC034N15NM6
  • Refroidissement supérieur - IPTC034N15NM6
  • Faible charge de récupération inverse (QRR) en 150 V
  • Souplesse de la diode améliorée par rapport à OptiMOS 5
  • Grande robustesse en cas d’avalanche
  • Écart étroit de tension de seuil de grille [VGS(th)] de ±500 mV
  • Options de boîtier D2PAK à 3 broches, D2PAK à 7 broches, TO-220, TOLL, TOLT (pour le refroidissement sur la face supérieure) et SuperSO8
  • Température de jonction maximale de +175 °C
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1
  • Sans halogène et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Véhicules électriques légers (LEV)
  • Contrôle de moteur
  • Outils électriques
  • Systèmes de stockage d'énergie
  • Conversion d’énergie
  • Applications photovoltaïques
  • Alimentations électriques industrielles
  • Blocs d’alimentation électrique pour serveurs (PSU)
  • Infrastructures de télécommunications

Caractéristiques techniques

  • Plage de courant de drain continu de 50 A à 194 A
  • Tension de rupture drain-source de 150 V
  • Tension de seuil grille-source de 4 V
  • Plage de dissipation d’énergie de 95 W à 294 W
  • Plage de delai de passage à la fermeture typique de 7 ns à 18 ns
  • Plage de délai de passage à l’ouverture typique de 9 ns à 27 ns
  • Plage de temps de montée de 2 ns à 17 ns
  • Plage de temps de descente de 8 ns à 15 ns
  • Plage de transconductance directe minimale de 19 S à 70 S
  • Plage de charge de grille de 14,8 nC à 69 nC
  • Plage de résistance entre le drain et la source de 3,2 mΩ à 15,6 mΩ
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C

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Publié le: 2025-03-24 | Mis à jour le: 2025-07-17