Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile
Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile d'Infineon Technologies sont des dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement dans des architectures de véhicules modernes. Construits selon la technologie OptiMOS™ 7, ces MOSFET 100 V offrent une très faible résistance à l'état passant, un comportement de commutation rapide et une capacité d'avalanche élevée, ce qui permet des pertes réduites de conduction et de commutation tout en maintenant une robustesse et des performances thermiques élevées. Ces fonctionnalités prennent en charge des conceptions à haute densité de puissance dans des boîtiers compacts et bien adaptés à des environnements automobile exigeants, qui nécessitent fiabilité, rendement et fonctionnement cohérent.
Ces MOSFET d'Infineon sont optimisés pour des systèmes automobiles de 48 V et sont largement utilisés dans des applications telles que des convertisseurs CC‑CC, la commande de moteurs pour des pompes/ventilateurs, la distribution d'énergie et des systèmes de gestion de batteries. Ces dispositifs permettent également des fonctions critiques dans la direction assistée électrique, dans le freinage, dans l'éclairage par LED et dans des sous-systèmes de véhicules électriques légers, où une conversion efficace d'énergie et une commutation robuste s'avèrent essentiels. Globalement, la famille de l'OptiMOS 7 de 100 V facilite la transition vers des véhicules plus électrifiés et plus économes en énergie, en améliorant les performances de systèmes tout en simplifiant les contraintes thermiques et spatiales.
Caractéristiques
- MOSFET de puissance OptiMOS pour applications automobiles
- Mode d’amélioration à canal N
- Niveau logique pour IAUCN10S7L290T
- Niveau normal pour IAUCN10S7N025T
- Homologation étendue au-delà de l'AEC‑Q101
- Tests électriques améliorés
- Réduit au minimum les pertes en conduction
- Performances supérieures de commutation
- Densité de puissance et rendement élevés
- Capacité de courant accrue
- RDS(on) très faible
- Conception robuste
- Boîtier PG‑LHDSO‑10
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1, jusqu'à +260 °C de refusion maximale
- Plage thermique de fonctionnement : de -55 à +175 °C
- 100 % testé en avalanche
- Conformité à la directive RoHS
Applications
- Convertisseurs CC-CC (conversion de puissance)
- Systèmes de commande de moteurs
- Charges auxiliaires automobiles
- Distribution et commutation d'énergie
- Systèmes de gestion de batterie (BMS)
- Systèmes de direction et de sécurité
- Systèmes d'éclairage
- Plateformes de mobilité électrique et légère
Caractéristiques techniques
- Caractéristiques statiques
- Tension de rupture drain‑source minimale de 100 V
- Plage de tension de seuil de la grille de 1,2 à 3,2 V
- Plage de courant drain à tension nulle de la grille de 1 à 29 µA
- Courant maximal de fuite grille‑source de 100 nA
- Résistance à l'état passant drain-source de 2,5 à 38,2 mΩ
- Plage de résistance de grille standard de 0,9 à 1,5 Ω
- Caractéristiques dynamiques
- Plage de capacité d'entrée maximale de 560 à 6 600 pF
- Plage de capacité de sortie maximale de 240 à 2 760 pF
- Plage de capacité maximale de transfert inverse de 8 à 30 pF
- Plage typique de retard d'activation de 2 à 16 ns
- Plage typique de temps de montée de 2 à 15 ns
- Plage typique de retard de désactivation de 8 à 33 ns
- Plage typique de temps de descente de 4 à 18 ns
- Caractéristiques de charge de grilles
- Plage maximale de charge grille-source de 1,8 à 31 nC
- Plage maximale de charge de grille à drain de 3 à 19 nC
- Plage totale de charge maximale de grille de 11 à 93 nC
- Plage de tension de plateau de grille standard de 3,1 à 4,6 V
- Caractéristiques de diodes inverses
- Plage de courant maximal direct continu de diode de 27 à 175 A
- Plage de courant maximal d'impulsion de diode de 52 à 622 A
- Tension directe maximale de diode de 1 V
- Plage de temps maximal de récupération inverse de 32 à 68 ns
- Plage de charge maximale de récupération inverse de 15 à 82 nC
- Avalanche par impulsion unique
- Plage maximale d’énergie de 12 à 139 mJ
- Plage maximale de courant de 18 à 125 A
- Plage de puissance dissipable admissible de 45 à 205 W
Fiche technique
Schéma
MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 automobile
Infineon Technologies MOSFET de puissance automobile OptiMOS™ 7
Il met en œuvre une technologie MOSFET de puissance innovante de 40 V, robuste et sans plomb.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V pour l'automobile
Conçus pour une performance élevée, une qualité et une robustesse nécessaires aux applications automobiles exigeantes.
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 40 V pour l'automobile
Offre une densité de puissance élevée, de faibles pertes de conduction et un comportement de commutation optimisé.