Infineon Technologies FET linéaires OptiMOS™
Le FET linéaire OptiMOS™ Infineon Technologies est une solution permettant d'éviter le compromis entre la résistance à l'état passant RDS(on) et le fonctionnement en mode linéaire dans la région de saturation d'un MOSFET à mode avancé. Ce composant présente la RDS(on) de pointe d'un MOSFET à tranchée et se caractérise par la zone de fonctionnement sécurisé étendue d'un MOSFET planaire classique. Le FET linéaire OptiMOS prévient les dommages que risque de subir la charge en limitant les courants d'appel élevés.
De plus, les FET linéaires OptiMOS conviennent parfaitement aux applications de permutation à chaud et de E-fuse fréquentes dans les systèmes de télécommunication et de gestion de batterie.
Caractéristiques
- Allie un RDS(on) faible et une zone de fonctionnement sécurisée large
- Courant d'impulsion max. élevé
- Courant d'impulsion continu élevé
- Canal N, niveau normal
- 100 % testé en mode avalanche
- Placage sans plomb ; conforme RoHS
- Qualification conformément à JEDEC pour applications cibles
- Sans halogène, conformément à la norme CEI61249-2-21
Applications
- Télécommunications
- Gestion de batteries
Outils de développement associés
Infineon Technologies Carte d'évaluation EVAL_3K3W_BIDI_PSFB
Une solution complète pour les convertisseurs CC-CC bidirectionnels 3 300 W.
Tableau comparatif
Publié le: 2020-07-20
| Mis à jour le: 2024-11-06