Infineon Technologies IGBT7 S7 TRENCHSTOP™
Les IGBT7 S7 TRENCHSTOP™ d’Infineon Technologies offrent un vaste portefeuille de 1 200 V pour toutes les applications industrielles nécessitant une capacité de court-circuit/robustesse. L’IGBT7 S7 est un IGBT discret robuste et efficace en cas de court-circuit, offrant une tension de saturation inférieure d’au moins 10 % à celle des autres.
L'IGBT7 S7 TRENCHSTOP d'Infineon est disponible avec des diodes EC7 (contrôlées par émetteur) de classe complète très progressives, permettant une saturation VCEsat IGBT considérablement réduite et un Qrr faible. L'IGBT7 fournit une capacité de contrôle supérieure et une robustesse contre les courts-circuits. De plus, le composant dispose d'excellentes performances électriques, d'une capacité de contrôle plus élevée, d'une conception EMI facile et d'une fiabilité plus élevée dans des conditions d'application difficiles.
Caractéristiques
- Temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) : 8 µs
- Densité de puissance élevée
- Diode à courant complet, progressif et à faible Qrr
- Fiabilité de système élevée
- Contrôlabilité supérieure
- Robustesse améliorée à l'humidité à haute tension (test HV-H3TRB réussi)
- Diode EC7 complètement co-emballée, plus rapide, plus efficace et plus progressive que la diode Rapid 1
Applications
- Commandes de moteurs
- ASI/PV
- PFC climatiseur
Caractéristiques techniques
- Tension de rupture plus élevée de 1 200 V
- Faible saturation IGBT (VCEsat) et faible tension directe de diode (VF)
Caractéristiques/Avantages :
Tableau de comparaison IGBT7
Option supérieure pour toutes les applications industrielles
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