Infineon Technologies IGBT Gen8 1 200 V International Rectifier

Les IGBT Gen8 1 200 V International Rectifier sont dotés de la technologie à arrêt de champ et grille en tranchée de toute dernière génération d'IR et sont livrés dans des boîtiers TO-247 aux standards industriels pour offrir les meilleures performances de leur catégorie pour les applications industrielles et d'économie d'énergie. La technologie Gen8 offre des caractéristiques d'arrêt plus doux idéales pour les applications d'entraînement moteur, en minimisant le dv/dt pour réduire les EMI et les surtensions, augmentant ainsi leur fiabilité et leur robustesse. Ces IGBT Gen8 présentent des courants nominaux compris entre 8 A et 60 A avec une VCE(ON) standard de 1,7 V et une protection nominale contre les courts-circuits de 10 µs pour diminuer la dissipation de puissance, aboutissant ainsi à une densité de puissance et une robustesse accrues. Utilisant la technologie de couche mince, les IGBT Gen8 1 200 V offrent une résistance thermique accrue et une température de jonction pouvant atteindre 175 °C.

Caractéristiques

  • Low VCE(ON) for high efficiency in a motor drive applications
  • 10μs Short Circuit SOA increases margin for short circuit protection scheme
  • Positive VCE(ON) Temperature Coefficient for excellent current sharing in parallel operation
  • Square RBSOA and high ILM- rating for rugged transient performance
  • Lead-free, RoHS compliant

Applications

  • Industrial motor drives
  • UPS
  • Solar inverters
  • Welding

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Numéro de pièce Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Fiche technique
IKW08N120CS7XKSA1 21 A 100 nA 106 W IKW08N120CS7XKSA1 Fiche technique
IKW15N120T2 30 A 600 nA 235 W IKW15N120T2 Fiche technique
IKW25N120T2 50 A 200 nA 349 W IKW25N120T2 Fiche technique
IKW40N120T2 75 A 200 nA 480 W IKW40N120T2 Fiche technique
Publié le: 2014-12-11 | Mis à jour le: 2022-03-11