Infineon Technologies IGBT Gen8 1 200 V International Rectifier
Les IGBT Gen8 1 200 V International Rectifier sont dotés de la technologie à arrêt de champ et grille en tranchée de toute dernière génération d'IR et sont livrés dans des boîtiers TO-247 aux standards industriels pour offrir les meilleures performances de leur catégorie pour les applications industrielles et d'économie d'énergie. La technologie Gen8 offre des caractéristiques d'arrêt plus doux idéales pour les applications d'entraînement moteur, en minimisant le dv/dt pour réduire les EMI et les surtensions, augmentant ainsi leur fiabilité et leur robustesse. Ces IGBT Gen8 présentent des courants nominaux compris entre 8 A et 60 A avec une VCE(ON) standard de 1,7 V et une protection nominale contre les courts-circuits de 10 µs pour diminuer la dissipation de puissance, aboutissant ainsi à une densité de puissance et une robustesse accrues. Utilisant la technologie de couche mince, les IGBT Gen8 1 200 V offrent une résistance thermique accrue et une température de jonction pouvant atteindre 175 °C.Caractéristiques
- Low VCE(ON) for high efficiency in a motor drive applications
- 10μs Short Circuit SOA increases margin for short circuit protection scheme
- Positive VCE(ON) Temperature Coefficient for excellent current sharing in parallel operation
- Square RBSOA and high ILM- rating for rugged transient performance
- Lead-free, RoHS compliant
Applications
- Industrial motor drives
- UPS
- Solar inverters
- Welding
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| Numéro de pièce | Courant collecteur continu de 25 C | Courant de fuite gâchette-émetteur | Pd - Dissipation d’énergie | Fiche technique |
|---|---|---|---|---|
| IKW08N120CS7XKSA1 | 21 A | 100 nA | 106 W | ![]() |
| IKW15N120T2 | 30 A | 600 nA | 235 W | ![]() |
| IKW25N120T2 | 50 A | 200 nA | 349 W | ![]() |
| IKW40N120T2 | 75 A | 200 nA | 480 W | ![]() |
Publié le: 2014-12-11
| Mis à jour le: 2022-03-11

