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IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V

La diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V 10 A d'IXYS utilise une puce unique dans un boîtier DO-214AB. La tension directe (VF) de cette diode est ≤ 1,15 V à +25 °C, tandis que sa tension inverse de crête répétitive (VRRM) est de 1600 V. Le DK610S3RP IXYS offre une haute efficacité, une exploitation fiable à long terme et une sécurité accrue pour les applications haute tension. Le dispositif est peu encombrant, idéal pour l'assemblage automatisé et convient parfaitement aux applications de contrôle de phase CC.

Caractéristiques

  • Courant de fuite inverse IR ≤ 10 µA à +25 °C
  • Tension directe VF ≤ 1,15 V à +25 °C
  • Capacité de tension inverse pouvant atteindre 1 600 V
  • Boîtier DO-214AB
  • Exploitation fiable à long terme
  • Haute efficacité
  • Plus de sécurité sur l'application haute tension
  • Économise de l'espace et est idéale pour l'assemblage automatisé

Applications

  • Pour les configurations de pont monophasée et triphasée
  • Redressement haute tension à usage général

Caractéristiques techniques

  • Tension inverse de crête non répétitive (VRSM) de 1700 V
  • Tension inverse de crête répétitive (VRRM) de 1600 V
  • Courant direct moyen (IF(AV)) de 10 A (Tc = +53 °C, Tvj = +175 °C, CC rectangulaire)
  • Courant direct de surcharge non répétitif (IFSM)
    • 196 A (demi-alternance unique ; f = 50 Hz ; Tvj (initial) = +45 °C)
    • 215 A (demi-alternance unique ; f = 60 Hz ; Tvj (initial) = +45 °C)
    • 178 A (demi-alternance unique ; f = 50 Hz ; Tvj (initial) = +175 °C)
    • 195 A (demi-alternance unique ; f = 60 Hz ; Tvj (initial) = +175 °C)
  • Valeur I2t (I2t)
    • 192 A2s (tp = 10 ms, Tvj = +45 °C)
    • 192 A2s (tp = 8,3 ms, Tvj = +45 °C)
    • 158 A2s (tp = 10 ms, Tvj = +150 °C)
    • 157 A2s (tp = 8,3 ms, Tvj = +150 °C)
  • Température de jonction virtuelle (Tvj) de +175 °C
  • Plage de température de stockage (Tstg) de -55 °C à +150 °C
  • Plage de température de fonctionnement (Top) de -55 °C à +150 °C
  • Tension directe (VF)
    • 1,15 V (max.) (IF = 10 A, température de jonction Tvj = +25 °C)
    • 1,3 V (max.) (IF = 20 A, Tvj = +25 °C)
    • 1,05 V (max.) (IF = 10 A, Tvj = +150 °C)
    • 1,2 V (max.) (IF = 20 A, Tvj = +150 °C)
  • Courant inverse (IR)
    • 10 µA (VR = VRRM, Tvj = +25 °C)
    • 200 µA (VR = VRRM, Tvj = +150 °C)
  • Tension de seuil V(TO) de 0,57 V (Tvj = +175 °C)
  • Résistance dynamique de 15 mΩ (rT) (Tvj = +175 °C)

Schéma de brochage

Plan mécanique - IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V

Dimensions du boîtier

Plan mécanique - IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V
Publié le: 2026-07-14 | Mis à jour le: 2026-07-21