IXYS MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx
Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)]. La résistance à l'état passant est comprise entre 25 mΩ et 160 mΩ, et le courant de drain continu (ID) est compris entre 20 A et 111 A. Ces composants assurent une commutation à haute vitesse avec une faible capacité et sont dotés d'une diode intrinsèque ultra-rapide. Ils sont disponibles avec une tension drain-source (VDSS) de 650 V ou 1200 V. Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS sont proposés dans trois boîtiers (TO-263-7L, TOLL-8 et TO-247-4L).Caractéristiques
- Technologie MOSFET SiC avec commande de grille –3/+15 V à 18 V (IXSA65N120L2-7TR, IXSA110N65L2-7TR, IXSG110N65L2K, IXSH65N120L2KHV et IXSH100N65L2KHV)
- Tension de blocage élevée avec faible résistance à l'état passant
- Commutation à haute vitesse avec faible capacité
- Tolérance à des températures de fonctionnement de jonction élevées (IXSG40N65L2K, IXSG60N65L2K, IXSG110N65L2K)
- Diode intrinsèque ultra-rapide
- Contact de source Kelvin
- Température de jonction virtuelle maximale Tvj = +175 °C (IXSA20N120L2-7TR, IXSA40N65L2-7TR IXSA60N65L2-7TR IXSA65N120L2-7TR IXSA110N65L2-7TR IXSH20N120L2KHV IXSH40N65L2KHV IXSH60N65L2KHV IXSH65N120L2KHV et IXSH100N65L2KHV)
- Classification MSL1
Applications
- IXSA20N120L2-7TR
- Infrastructures de chargement EV
- Correction du facteur de puissance
- Alimentation électrique du serveur de télécommunications
- Entraînements à moteur
- Boosters solaires
- Alimentations électriques industrielles
- Systèmes de stockage d'énergie
- IXSH100N65L2KHV
- Infrastructure de recharge des véhicules électriques
- Onduleurs solaires
- Convertisseurs CC-CC
- SMPS industriels
- Système de stockage d'énergie
- Onduleurs (ASI)
- IXSG40N65L2K, IXSG60N65L2K et IXSG110N65L2K
- Infrastructures de chargement EV
- Chauffage par induction
- Pilotes de moteur
- Convertisseurs solaires
- Alimentations électriques en mode commutation
- Systèmes de stockage d'énergie
- IXSA60N65L2-7TR
- Infrastructures de chargement EV
- Boosters solaires
- Alimentations électriques en mode commutation
- Onduleurs (ASI)
- Systèmes de stockage d'énergie
- IXSA40N65L2-7TR IXSH20N120L2KHV IXSH40N65L2KHV IXSH60N65L2KHV et IXSH65N120L2KHV
- Alimentations électriques à découpage
- Onduleurs (ASI)
- Infrastructures de chargement EV
- Systèmes de stockage d'énergie
- IXSA110N65L2-7TR
- Alimentations électriques à découpage
- Onduleurs (ASI)
- Entraînements à moteur
- Chauffage par induction
- Boosters solaires
- Système de stockage d'énergie
- IXSA65N120L2-7TR
- Infrastructure de recharge des véhicules électriques
- Convertisseurs PV
- Correction du facteur de puissance
- Chauffage par induction
- Système de stockage d'énergie
Schémas de brochage
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Package/Boîte | Vds - Tension de rupture drain-source | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source | Pd - Dissipation d’énergie | Qg - Charge de grille |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXSH65N120L2KHV | ![]() |
TO-247-4L | 1.2 kV | 65 A | 52 mOhms | 375 W | 110 nC |
| IXSA65N120L2-7TR | ![]() |
TO-263-7L | 1.2 kV | 65 A | 53 mOhms | 417 W | 110 nC |
| IXSG110N65L2K | ![]() |
TOLL-8 | 650 V | 111 A | 33 mOhms | 600 W | 125 nC |
| IXSA110N65L2-7TR | ![]() |
TO-263-7L | 650 V | 111 A | 33 mOhms | 600 W | 125 nC |
| IXSA40N65L2-7TR | ![]() |
TO-263-7 | 650 V | 43 A | 78 mOhms | 174 W | 64 nC |
| IXSA60N65L2-7TR | ![]() |
TO-263-7 | 650 V | 60 A | 53 mOhms | 249 W | 94.7 nC |
| IXSH100N65L2KHV | ![]() |
TO-247-4L | 650 V | 99 A | 33 mOhms | 454 W | 125 nC |
| IXSH20N120L2KHV | ![]() |
TO-247-4 | 1.2 kV | 20 A | 208 mOhms | 136 W | 29 nC |
| IXSH40N65L2KHV | ![]() |
TO-247-4 | 650 V | 43 A | 78 mOhms | 174 W | 64 nC |
| IXSA20N120L2-7TR | ![]() |
TO-263-7 | 1.2 kV | 20 A | 208 mOhms | 136 W | 29 nC |
Publié le: 2025-09-10
| Mis à jour le: 2025-09-24

