Littelfuse Diode TVS discrète bidirectionnelle SPA® SC1205

Les diodes TVS discrètes bidirectionnelles SPA® SC1205 de Littelfuse offrent une protection élevée contre les ESD (décharges électrostatiques) dans un boîtier DFN-2 0201 avec technologie d'avalanche au silicium. Le composant TVS SC1205 absorbe en toute sécurité les chocs ESD répétitifs de ±30 kV (contact et décharge dans l'air définis dans la norme CEI 61000-4-2) sans aucune dégradation des performances. De plus, chaque TVS peut dissiper en toute sécurité un événement de surtension 7 A 8/20 us tel que défini par CEI 61000-4-5 2e édition.

Caractéristiques

  • DES, CEI 61000-4-2
    • Contact : ±30 kV
    • Air : ±30 kV
  • EFT, CEI 61000-4-4, 40 A (5/50 ns)
  • Boîtier DFN-2 0201
  • Courant de fuite standard de 1 nA à 4,5 V
  • Tolérance de surtension 7 A (8/20 µs tel que défini dans CEI 61000-4-5 2e édition)
  • Brasage par refusion
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1
  • Conforme sans plomb, sans halogène et RoHS

Applications

  • Interrupteurs et boutons
  • Matériel d'essai et instrumentation
  • Terminaux de point de vente (PDV)
  • Équipement médical
  • Ordinateurs portables, ordinateurs de bureau et serveurs
  • Périphériques informatiques
  • Batteries

Caractéristiques techniques

  • Courant de crête maximum 7 A
  • Tension d'arrêt inverse maximale de 4,5 V
  • Tension de claquage minimale de 5,3 V, 5,5 V standard
  • Courant de fuite inverse maximal de 20 nA, standard de 1 nA
  • Tension de serrage standard 10 V
  • Résistance dynamique standard : 0,17 Ω
  • Capacité de diode maximale de 9 pF, standard de 7 pF
  • Monocanal
  • Plages de température
    • Fonctionnement de -40 °C à +125 °C
    • Stockage de -55 °C à +150 °C
  • Matériaux
    • Placage des fils Ag (EF2)
    • Fils Ni/Fe
    • Substrat en silicium
    • Corps composé moulé UL 94V-0
Publié le: 2021-12-15 | Mis à jour le: 2022-03-11