Littelfuse Diodes TVS unidirectionnelles SLD263
Les diodes TVS unidirectionnelles SLD263 de Littelfuse sont conçues pour protéger l'électronique sensible contre les DES, les EFT et les événements de surtension de 10/1 000 µS. Ces diodes TVS offrent une excellente capacité de limitation et une faible résistance de surtension. Les diodes TVS SLD263 disposent d'une plage de tension de blocage inverse de 14 V à 40 V et un temps de réponse rapide, généralement inférieur à 1 ps. Ces diodes TVS protègent le dispositif contre les événements de transitoires de tension de commutation de charge inductive pour les applications automobiles de décharge de charge exigeantes. Les diodes TVS SLD263 fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à +150 °C et sont disponibles avec une jonction de puce passivée en verre dans un boîtier TO-263 modifié. Les applications typiques incluent la commutation de charge inductive, le dump de charge d’alternateur et la protection transitoire de ligne électrique/haute puissance.
Caractéristiques
- Respectent la protection ISO7637-2 5a/5b, l'ISO16750 et le test de charge JASO D-001
- Plage de tension de maintien inverse de 14 V à 40 V
- VBR à TJ = VBR à 25 °C x (1+αT x (TJ - 25))(αT : coefficient de température, valeur standard de 0,1 %)
- Jonction de puce passivante en verre dans un boîtier TO-263 modifié
- Protection DES des lignes de données conformément à la norme CEI 61000-4-2, 30 kV (air) et 30 kV (contact)
- Protection EFT des lignes de données conformément à la norme CEI 61000-4-4
- Temps de réponse généralement inférieur à 1 ps de 0 V à VBR minimum
- Excellente capacité d'écrêtage
- Faible résistance à la surtension incrémentale
- Composé homologué UL répondant à la classe d'inflammabilité UL 94V-0
- Respect du niveau MSL 1, conformément à la norme J-STD-020, et pic maximum LF de 260 °C
- Pour applications de montage en surface afin d’optimiser l’espace de la carte
- Boîtier à profil mince
- Soudage par refusion à haute température de 260 °C/10 s garanti aux bornes
- Plaqué en étain mat sans plomb
- Sans halogène et conforme à la directive RoHS
- E3 sans Pb signifie que l'interconnexion de 2e niveau est sans Pb et le matériau de finition de borne est en étain (Sn) (IPC/JEDEC J-STD609A.01)
Applications
- Commutation de charge inductive
- Décharge de l'alternateur
- Protection transitoire ligne d’alimentation/haute puissance
- Protection des circuits électroniques sensibles contre les DES et les surtensions
Caractéristiques techniques
- Dissipation de puissance d'impulsion de crête :
- Dissipation d'énergie de 1 400 W (forme d’onde de test de 10/150 ms)
- Dissipation d'énergie de 7 000 W (forme d’onde de test de 10/1 000 µS)
- Dissipation d'énergie de 9 W sur un dissipateur thermique infinie à TC = 25 °C
- Tension directe instantanée maximale de 1,8 V à 100 A pour unidirectionnel uniquement
- Courant de surtension direct de crête de 650 A, onde sinusoïdale simple de 8,3 m
- Résistance thermique jonction/coquille standard de 1,3 °C/W
- Plage de températures de fonctionnement et de stockage comprise entre -55 °C et +150 °C
Schéma de fonctionnement
Schéma des dimensions
Publié le: 2026-06-12
| Mis à jour le: 2026-06-30