Microchip Technology MOSFET SIC 1 200 V
Les MOSFET SIC 1 200 V de Microchip Technology offrent une haute efficacité dans une solution plus légère et plus compacte. Les dispositifs fournissent une faible résistance de grille interne (ESR), ce qui se traduit par un retard de commutation faible. Les MOSFET sont simples à actionner et faciles à mettre en parallèle, avec des capacités thermiques améliorées et des pertes de commutation réduites.
Les MOSFET SIC 1 200 V de Microchip éliminent le besoin d'une diode roue libre externe et offrent une robustesse avalanche supérieure dans une diode de corps rapide et fiable.
Caractéristiques
- Faibles capacités et faible charge de grille
- Retard de commutation faible grâce à une faible résistance de grille interne (ESR)
- Exploitation stable à haute température de jonction, TJ(max) = 175 °C
- Diode de corps rapide et fiable
- Robustesse avalanche supérieure (100 % de la production UIS testée)
- Ligne de fuite (std >8 mm)
Applications
- Convertisseur photovoltaïque (PV), convertisseur et entraînements à moteur industriels
- Transmission et distribution dans le réseau intelligent
- Chauffage et soudage par induction
- Groupe motopropulseur de véhicule électrique hybride (HEV) et chargeur de véhicule électrique (VE)
- Alimentation électrique et distribution
Application standard
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Rds On - Résistance drain-source | Id - Courant continu de fuite |
|---|---|---|---|
| MSC020SMB120B4N |  |
24 mOhms | 97 A |
| MSC025SMB120B4N | |
33 mOhms | 81 A |
| MSC030SMB120B4N | |
40 mOhms | 69 A |
| MSC040SMB120B4N | |
53 mOhms | 54 A |
| MSC045SMB120B4N | |
60 mOhms | 49 A |
| MSC060SMB120B4N | |
80 mOhms | 38 A |
| MSC080SMB120B4N | |
107 mOhms | 30 A |
| MSC031SMC120B4N | |
42 mOhms | 72 A |
Publié le: 2025-09-19
| Mis à jour le: 2025-09-29