Microchip Technology SRAM SPI/SDI/SQI 23AA04M/23LCV04M 4 Mo
Les SRAM SPI/SDI/SQI 23AA04M et 23LCV04M 4 Mo de Microchip Technology sont des dispositifs de mémoire à accès aléatoire accessibles via un bus série compatible SPI (interface périphérique série). La SRAM dispose d’opérations de lecture et d’écriture à tension unique et faible 4 096 kbits. Les 23AA04M et 23LCV04M prennent en charge une double interface série (SDI) et une interface série quadruple (SQI) pour des débits de données plus rapides et une fréquence d’horloge haut débit de 143 MHz. Les SRAM fournissent une logique intégrée de code de correction d’erreur (ECC), qui garantit une haute fiabilité. Les SRAM SPI/SDI/SQI 23AA04M et 23LCV04M 4 Mo de Microchip Technology offrent une organisation 256 x 8 bits avec des modes octet, page et séquentiel pour la lecture et l’écriture. La SRAM fonctionne avec des cycles de lecture/écriture illimités et une prise en charge de la batterie de secours externe. Ces composants sont sans halogène et conformes à la directive RoHS.Caractéristiques
- SRAM faible consommation 4 096 kbits
- Opérations de lecture et d’écriture à tension unique :
- De 1,7 à 3,6 V (23AA04M)
- De 2,2 V à 3,6 V (23LCV04M)
- Architecture de l'interface série :
- Compatible modes SPI 0 et 3
- Prend en charge SDI et SQI
- Fréquence d’horloge haut débit de 143 MHz
- Haute fiabilité avec logique de code de correction d’erreur (ECC) intégrée
- Nombre illimité de cycles de lecture et d'écriture
- Prise en charge de batteries externes de secours
- Temps d'écriture nul
- Faible consommation d’énergie
- Courant de lecture actif maximal de 6 mA (à 40 MHz, 3,6 V) pour SPI/SDI/SQI
- Courant de veille standard de 140 A à +25 °C
- Organisation 256 x 8 bits
- Taille de page 32 octets ou 256 octets sélectionnée par l’utilisateur
- Mode octet, page et séquentiel pour les lectures et les écritures
- Options de boîtier
- PDIP à 8 fils, SOIC à 8 fils et TSSOP à 8 fils
- PDIP à 14 fils, SOIC à 14 fils et TSSOP à 14 fils
- Sans halogène et conforme à la directive RoHS
Caractéristiques techniques
- Tension nominale absolue de 3,9 VCC
- Courant de lecture actif maximal de 6 mA
- Courant de veille standard de 140 μA
- Densité de 4 096 kbits
- De -0,3 Vccà +0,3 V pour toutes les entrées et de sorties avec réf.
- Fréquence d’horloge maximale de 143 MHz
- Protection ESD jusqu'à 2 kV
- Plage de température ambiante de -40 °C à +85 °C
- Plage de température de stockage de -65 °C à +150 °C
Notes d’application
- Utilisation des espaces externes C30 pour communiquer avec la SRAM série hors puce
- Utilisation du compilateur C30 pour interfacer des dispositifs SRAM série avec dsPIC33F et PIC24F
- Utilisation du compilateur C32 pour faire l’interface entre les dispositifs SRAM série et les microcontrôleurs PIC32
- Utilisation du compilateur C18/HI-TECH C® pour interfacer des dispositifs SRAM série avec les microcontrôleurs PIC16F/PIC18F
- Bit-banging des modes SDI et SQI des SRAM série 23XX512/23XX1024 de Microchip
Publié le: 2024-04-01
| Mis à jour le: 2024-05-17
