Microchip Technology Module d'alimentation à diode Si sans embase MSCDR90A160BL1NG
Le module d'alimentation à diode Si sans embase MSCDR90A160BL1NG de Microchip Technology présente une tension de blocage élevée, une très faible inductance parasite, un poids ultra-léger et une faible résistance thermique jonction-boîtier. Ce module d'alimentation à diode fonctionne à une tension directe de 1,3 V (VF) à 90 A, une tension inverse de 1,6 kV (VR) et une tension inverse répétitive maximale de 1 600 V (VRRM).
Caractéristiques
- Tension de blocage élevée
- Inductance parasite très faible
- Poids ultra-léger
- Profil ultra-mince
- Montage direct sur le dissipateur thermique (boîtier isolé sans embase)
- Faible résistance thermique jonction-boîtier
- Conforme à la directive RoHS
Caractéristiques techniques
- Tension directe de 1,3 V (VF) à 90 A
- Tension inverse de 1,6 kV (VR)
- Tension inverse répétitive maximale de 1 600 V (VRRM)
- Configuration de décalage de phase
Publié le: 2021-10-11
| Mis à jour le: 2022-03-11