Micron Mémoire flash NAND asynchrone/synchrone de 256 Go

Les dispositifs de mémoire flash NAND asynchrone/synchrone de 256 Go de Micron utilisent un bus à 8 bits (DQx) hautement multiplexé pour transférer les commandes, les adresses et les données. Le dispositif de mémoire offre une architecture à cellule à niveau unique (SLC) pour une endurance et une intégrité des données supérieures. Ces dispositifs sont livrés avec cinq signaux de contrôle utilisés pour mettre en œuvre l’interface de données asynchrone : CE#, CLE, ALE, WE# et RE#. Signaux supplémentaires contrôlant la protection en écriture matérielle (WP#) et surveillance de l’état dispositif (R/B#). Le dispositif NAND Flash comprend également une interface de données synchrone pour des opérations E/S haute performance. Ces mémoires flash NAND fonctionnent avec une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et une tension d’E/S de 1,8 V, ce qui les rend idéales pour des conceptions à faible puissance. La mémoire flash NAND  256 Go est livrée dans un boîtier LBGA à 100 billes (12 mm x 18 mm). Ces dispositifs de mémoire prennent en charge une plage de température étendue de -40°C à 85°C pour une fiabilité de qualité industrielle. Les dispositifs asynchrones/synchrones 256 Go sont idéaux pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements de mise en réseau et les solutions de stockage intégré à haute fiabilité.