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Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q

Les transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q de Nexperia sont encapsulés dans un boîtier en plastique ultra-mince DFN2020D-3 (SOT1061D) sans fil de petite taille pour des dispositifs montés en surface (CMS). Ces transistors Nexperia sont conçus pour une capacité de courant de collecteur élevée, le BC51PAS-Q offrant une tension collecteur-émetteur (VCEO) de -45 V, le BC52PAS-Q de -60 V et le BC53PAST-Q de -80 V. Les dispositifs intègrent des dissipateurs thermiques exposés pour une excellente conductivité thermique et électrique, ils sont adaptés pour les régulateurs de tension linéaires, les appareils alimentés par batterie, les pilotes de MOSFET, les commutateurs côté haut, la gestion de l'alimentation et les amplificateurs. Ces transistors sont aussi conformes aux normes AEC-Q101, garantissant la fiabilité dans les applications automobiles. La conception compacte réduit les exigences en matière de zone de PCB et prend en charge l'inspection optique automatique (AOI) des joints de brasure.

Caractéristiques

  • Haute capacité de courant de collecteur IC et ICM
  • Exigences réduites en matière de zone de carte de circuit imprimé (PCB)
  • Sélections de gain de courant
    • Deux pour BC51xPAS-Q et BC52xPAS-Q
    • Trois pour BC53PAST-Q
  • Dissipateur de chaleur exposé pour une excellente conductivité thermique et électrique
  • Petit boîtier plastique sans fil CMS DFN2020D-3 (SOT1061D) avec capacité de puissance moyenne
  • Convient à l'inspection optique automatique (AOI) de la brasure
  • Homologuées selon la norme AEC-Q101 et recommandées pour utilisation dans les véhicules automobiles

Applications

  • Régulateurs de tension linéaires
  • Dispositifs alimentés par batterie
  • Pilotes MOSFET
  • Commutateurs côté haut
  • Gestion de l'alimentation
  • Amplificateurs

Caractéristiques techniques

  • Tension collecteur-émetteur maximum de -45 V, -60 V ou -80 V
  • Courant collecteur maximum de -1 A, -2 A crête maximum
  • Plage de tension du collecteur-base maximum de -45 V, -60 V ou -100 V
  • Tension de l'émetteur-base maximum de -5 V
  • Courant de base maximum de -0,3 A
  • Plage de dissipation d'énergie totale maximale de 0,42 W à 1,65 W
  • Plage de température ambiante de -55 °C à +150 °C
  • Boîtier DFN2020D-3 (SOT1061D), avec un corps de 2 mm x 2 mm x 0,65 mm et un pas de 1,3 mm

Fiche technique

  • Série BC51xPAS-Q - Transistors PNP de puissance moyenne 45 V, 1 A
  • Série BC52xPAS-Q - Transistors PNP de puissance moyenne 60 V, 1 A
  • Série BC53PAST-Q - Transistors PNP de puissance moyenne 80 V, 1 A

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Plan mécanique - Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q

Dimensions

Plan mécanique - Nexperia Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q

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Publié le: 2025-04-04 | Mis à jour le: 2025-04-14