Nexperia MOSFET à tranchée, canal P et 20 V BSH205G2
Le MOSFET à tranchée et canal P NXP est un transistor à effet de champ (FET) à mode amélioré fourni en petit boîtier plastique SOT23 (TO-236AB) à montage en surface (CMS). Il utilise une technologie MOSFET en tranchée et offre une faible tension de seuil et une commutation très rapide. Ce MOSFET est idéal pour des applications comme les pilotes de relais, les pilotes de ligne à haut débit et les circuits de commutation.
The Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is AEC-Q101 qualified and suitable for use in automotive applications.
Caractéristiques
- AEC-Q101 qualified
- Enhanced power dissipation capability of 890mW
- Trench MOSFET technology
- Low on-state resistance
- Low threshold voltage
- -55°C to 150°C ambient temperature range
- SOT23 (TO-236AB) package
Applications
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side loadswitch
- Switching circuits
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Vgs th - Tension de seuil grille-source | Id - Courant continu de fuite | Température de fonctionnement max. |
|---|---|---|---|---|
| BSH205G2AR |  |
900 mV | 2.6 A | + 175 C |
| BSH205G2R | |
450 mV | 2.3 A | + 150 C |
| BSH205G2VL | |
950 mV | 2.3 A | + 150 C |
Publié le: 2015-03-10
| Mis à jour le: 2022-11-28