Nexperia MOSFET à canal N BUK7J2R4-80M
Le MOSFET à canal N BUK7J2R4-80M de Nexperia est basé sur la technologie de grille divisée à faible valeur ohmique Trench 14. Ce MOSFET offre des performances et une endurance élevées et est logé dans un boîtier AN LFPAK56E. Le MOSFET BUK7J2R4-80M dispose d’une tension drain-source maximale de 80 V, d’un courant de drain maximal de 231 A, d’une dissipation d’énergie totale maximale de 294 W et d’une charge de grille totale maximale de 127 nC. Ce MOSFET est utilisé dans la commutation de puissance ultra-haute performance, le contrôle de solénoïdes et les systèmes automobiles 12 V, 24 V et 48 V.
Caractéristiques
- Technologie de grille divisée Trench 14 :
- Le pas de cellule réduit permet une densité de puissance et un rendement améliorés avec un RDSon plus faible dans la même empreinte
- Commutation rapide et efficace avec un amortissement optimal et un faible pic
- Fils à aile de mouette LFPAK :
- Haute fiabilité au niveau de la carte absorbant les contraintes mécaniques pendant le cycle thermique
- Inspection visuelle de soudage (AOI), pas besoin d’équipement radioscopique coûteux
- Mouillage à soudure facile pour de bons joints de brasage mécaniques
- Technologie de pince en cuivre LFPAK :
- Fiabilité améliorée, avec Rth, RDSon et inductance de boîtier réduite
- Augmente la capacité de courant maximum et améliore la diffusion du courant
- Homologué AEC-Q101
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source maximale de 80 V (25 °C ≤ TJ ≤ 175 °C)
- Courant de drain maximum de 231 A (VGS= 10 V, Tmb= 25 °C)
- Dissipation d’énergie totale maximale de 294 W (tmb= 25 °C)
- Plage de température de jonction de -55 °C à 175 °C
Applications
- Systèmes automobiles 12 V, 24 V et 48 V
- Contrôle de moteur, d’éclairage et de solénoïdes
- Commutation de puissance ultra-haute performance
Profil du boîtier
Publié le: 2024-08-21
| Mis à jour le: 2024-08-30