Retour à Nexperia

Nexperia MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N et BUK7Y3R1-80M

Les MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N & BUK7Y3R1-80M Nexperia sont conçus et qualifiés pour répondre aux exigences AEC-Q101, offrant de hautes performances et une endurance. Ces MOSFET offrent une commutation rapide et efficace avec un amortissement optimal et un faible pic. Les MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N et BUK7Y3R1-80M sont encapsulés dans des boîtiers LFPAK56. Le MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N utilise la technologie E-TBO (Oxyde inférieur à tranchée améliorée) et faible ohmique 15, tandis que le BUK7Y3R1-80M utilise la technologie de grille divisée à faible ohmique Trench 14. Ces MOSFET à canal N sont conformes à la directive RoHS européenne et disposent d’une plage de température de jonction maximale de 175°C. Les applications standard incluent les moteurs, l’éclairage et le contrôle des solénoïdes, les systèmes automobiles 12 V et la commutation de puissance ultra-haute performance.

Caractéristiques techniques

  • Entièrement homologué pour l’automobile AEC-Q101 (classification 175 °C adaptée aux environnements thermiquement exigeants)
  • Fils papillon LFPAK :
    • Haute fiabilité au niveau de la carte absorbant les contraintes mécaniques pendant le cycle thermique
    • Inspection visuelle de brasage (AOI)
  • Technologie de pince en cuivre LFPAK :
    • Fiabilité améliorée, avec Rth, RDSon et inductance de boîtier réduite
    • Augmente la capacité de courant maximal
    • Meilleure diffusion du courant
  • Conforme à la directive européenne RoHS

Applications

  • Systèmes automobiles 12 V
  • Commande de moteur, d’éclairage et de solénoïde
  • Commutation de puissance ultra-haute performance

Profil du boîtier

Plan mécanique - Nexperia MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N et BUK7Y3R1-80M
View Results ( 2 ) Page
Numéro de pièce Fiche technique Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie Configuration Type de transistor Temps de descente Temps de montée Délai de désactivation type Délai d'activation standard
BUK7Y3R1-80MX BUK7Y3R1-80MX Fiche technique SMD/SMT Power-SO8-4 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC 254 W Single Trench 14 Low Ohmic Split-Gate MOSFET 22 ns 19 ns 38 ns 20 ns
BUK7Y1R0-40NX BUK7Y1R0-40NX Fiche technique SMD/SMT Power-SO8-4 1 Channel 40 V 320 A 970 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 135 nC 268 W Single Enhanced-Trench Bottom Oxide (e-TBO) MOSFET 58 ns 49 ns 79 ns 25 ns
Publié le: 2024-02-14 | Mis à jour le: 2024-02-29