Nexperia MOSFET à tranchée DFN0606
Les MOSFET à tranchée DFN0606 Nexperia sont conçus pour utiliser la technologie MOSFET à tranchée pour fournir une faible tension de seuil et une commutation très rapide. Ces MOSFET Nexperia disposent d’une protection contre les décharges électrostatiques (ESD) et sont disponibles en boîtier plastique à montage en surface (CMS) ultra-compact DFN0606-3 (SOT8001) sans fil. Les applications standard incluent les téléphones mobiles, les dispositifs portables et portables, les accessoires de téléphones mobiles, les casques, les écouteurs et les prothèses auditives.
Caractéristiques
- Tension de seuil faible
- Commutation très rapide
- Technologie MOSFET à tranchée
- Fonctionnalité 2N7002 dans un boîtier DFN0606
- Gain de place de 36 % par rapport au DFN1006
- Protection ESD jusqu’à 2 kV
- Encombrement de 0,6 mm x 0,6 mm, hauteur 0,37 mm
Caractéristiques techniques
- RDS (on) Ultra-faible jusqu’à 170 mΩ
- Pilote basse tension (VGS (th)= 0,7 V standard)
- Plage de tension de 20 V à 60 V
Applications
- Téléphones mobiles
- Appareils portables et portables
- Accessoires de téléphones mobiles
- Casques, écouteurs et prothèses auditives
Vidéos
Note d'application
Ressources supplémentaires
Schéma de circuit d’application
MOSFET associés
Nexperia MOSFET à signal faible (SSMOS) pour portables
Petits boîtiers WLCSP et DFN sans fil pour les applications mobiles et portables.
Publié le: 2020-05-21
| Mis à jour le: 2024-05-03