Nexperia Diode idéale à faible chute de tension directe NID1100
La diode idéale à faible chute de tension directe NID1100 de Nexperia est conçue pour des applications nécessitant une gestion de l'alimentation efficace. Fonctionnant sur une plage de tension d’entrée de 1,5 V à 5,5 V, le NID1100 Nexperia prend en charge un courant continu jusqu’à 1 A. Cette diode dispose d’un blocage de tension directe et inverse, ce qui en fait une excellente alternative aux diodes SCHOTTKY conventionnelles dans les systèmes basse tension. Le NID1100 offre une chute de tension directe standard de seulement 120 mV à l’entrée 3,6 V et une courant de charge de 1 A, réduisant ainsi considérablement la perte de puissance. La diode comprend des mécanismes de protection robustes tels que la limitation du courant de court-circuit et l’arrêt en surchauffe. Le NID1100 est aussi disponible dans un boîtier compact SOT753 (SC-74A) et fonctionne efficacement sur une large plage de températures de -40 °C à +125 °C.
Caractéristiques
- Plage de tension d’entrée de 1,5 V à 5,5 V
- Faible tension de décrochage directe standard 120 mV (VFWD) à l’entrée 3,6 V et au courant de charge de 1 A
- Blocage de tension inverse toujours, faible courant de fuite en polarisation inverse
- Blocage de tension directe lorsqu’il est désactivé
- Faible courant de repos
- Réponse transitoire de charge améliorée
- Temps de montée contrôlé au démarrage
- Protection contre les surchauffes
- Protection contre les courts-circuits
- Configurations OR-ing prises en charge
- Deux dispositifs NID1100 ou plus
- NID1100 et diodes SCHOTTKY conventionnelles
- NID1100 et un PMOS externe
- Boîtier plastique à 5 broches pour montage en surface SOT753 (SC-74 A)
- Plage -40 °C de température de jonction à +125 °C (TJ)
Applications
- Systèmes de l’Internet des objets (IdO)
- Compteurs de gaz et compteurs intelligents
- Détecteurs de CO
- Systèmes de batteries de secours
- Dispositifs alimentés par USB
Caractéristiques techniques
- Plage de tension de sortie de 0 V à 5,5 V
- Plage de courant de sortie continu maximal de 50 mA à 1 A
- Courant de commutation pulsé maximal 1,5 A
- Plage 0 V de tension des broches EN à 5,5 V
- Plage de courant 0 mA à 0,5 mA dans la broche ST
- Plage de capacité totale de 0,3 pF à 100 pF à OUT, y compris déclassement et tolérances
- Entrée
- Courant de repos d’entrée maximal 725 nA, 562 nA standard
- Courant d’arrêt d’entrée maximal de 250 nA, 108 nA standard
- Plage de 70 mV de chute de tension directe FET de passage maximal à 180 mV
- Broche d’état
- Seuil bas d’état maximal 0,3 V
- Courant de fuite de la broche d’état ±75 nA
- Protection standard contre les courts-circuits 2,8 A sur la limite de courant
- Arrêt standard en surchauffe
- Arrêt +175 °C
- Hystérésis +35 °C
- Résistance thermique selon JEDEC51-5 et -7
- Jonction à température ambiante 206 °C/W
- Paramètre de caractérisation jonction à haut 111 °C/W
- Valeurs ESD
- Modèle du corps humain (HBM) ±2 000 V selon ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 classe 2
- Modèle de dispositif chargé (CDM) ±500 V selon ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 classe C2a
Schéma d’application simplifié
Schéma fonctionnel
Outil de développement
Nexperia Carte d'évaluation NEVB-NID1100UL
Elle facilite les tests et l'évaluation de la diode idéale NID1100.
Publié le: 2025-04-02
| Mis à jour le: 2025-04-08