Nexperia MOSFET à tranchée et canal P 30 V PMN50EPE
Le MOSFET à tranchée et canal P 30 V PMN50EPE de Nexperia introduit la technologie MOSFET à tranchée dans un petit boîtier plastique CMS SOT457 (SC-74). Le transistor à effet de champ (FET) et mode amélioration PMN50EPE est compatible au niveau logique, permet une commutation très rapide et dispose d'une protection contre les décharges électrostatiques (DES) HBM jusqu'à 2 kV.
Le MOSFET PMN50EPE de Nexperia est idéal pour les pilotes de relais, les pilotes de ligne haut débit, les commutateurs de charge haute tension et les applications de circuits de commutation.
Caractéristiques
- Technologie MOSFET à tranchée
- Compatibilité au niveau logique
- Commutation très rapide
- Protection contre les décharges électrostatiques (DES) avec HBM >2 kV
Applications
- Pilote de relais
- Pilote de ligne haut débit
- Commutateur de charge côté haut
- Circuits de commutation
Schémas de connexion des broches
Publié le: 2025-06-25
| Mis à jour le: 2026-04-17