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Nexperia MOSFET à tranchée et canal P PMVxx

Les MOSFET à tranchée et canal P NXP sont des transistors à effet de champ (FET) à mode amélioré fournis en petit boîtier plastique SOT23 (TO-236AB) à montage en surface (CMS). Ils utilisent une technologie MOSFET en tranchée et offrent une faible tension de seuil et une commutation très rapide. Ces MOSFET sont idéaux pour des applications comme les pilotes de relais, les pilotes de ligne à haut débit, les commutateurs de charge côté bas et les circuits de commutation.

Caractéristiques

  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • 2kV ESD protected
  • Low on-state resistance
  • Enhanced power dissipation capability of 1096mW
  • Enhanced power dissipation capability: Ptot= 1000mW

Applications

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side load switch
  • Switching circuits

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Numéro de pièce Fiche technique Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Vgs - Tension grille-source Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie
PMV50XPR PMV50XPR Fiche technique 4.4 A 48 mOhms 900 mV - 12 V, 12 V 7.7 nC 1.096 W
PMV33UPE,215 PMV33UPE,215 Fiche technique 5.3 A 30 mOhms 950 mV - 8 V, 8 V 14.7 nC 980 mW
PMV75UP,215 PMV75UP,215 Fiche technique 3.2 A 77 mOhms 900 mV - 12 V, 12 V 5 nC 1 W
PMV50XPAR PMV50XPAR Fiche technique 3.6 A 60 mOhms 1 V - 10 V, 10 V 7.7 nC 1.096 W
Publié le: 2015-03-10 | Mis à jour le: 2023-02-07