Nexperia ASFET à canal N PSMN047-100NSE
Le MOSFET spécifique de l'application à canal N (ASFET) PSMN047-100NSE de Nexperia contribue à permettre des systèmes Power-over-Ethernet (PoE) capables de fournir jusqu'à 90 W à chaque dispositif alimenté (PD). Ces solutions imposent des exigences accrues à l'équipement source d'alimentation (PSE) en termes de “démarrage progressif”, de gestion thermique et de besoins de densité de puissance. L'ASFET de 100 V, 53 mΩ PSMN047-100NSE combine un SOA amélioré dans une empreinte compacte de 2 mm x 2 mm, le plaçant idéalement pour diverses applications, notamment PoE, eFuse et remplacement de relais.
Caractéristiques
- zone de fonctionnement sécurisée (SOA) améliorée pour un fonctionnement en mode linéaire supérieur
- Faible RDSon pour de faibles pertes de conduction I2R
- Fuite IDSS très faible
- Boîtier DFN2020 plastique 2 mm x 2 mm 0,65 mm à encombrement réduit, 60 % plus petit que LFPAK33
- Conforme RoHS
Applications
- Applications PoE à haute puissance (60 W et plus)
- Solutions IEEE802.3at et PoE propriétaires
- Commutateurs de charge tolérants aux défaillances (gestion des appels et applications eFuse)
- Applications de gestion de batterie
- Remplacement de relais
- Points d’accès Wi-Fi
- Picocellules 5G
- Caméra de surveillance
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source maximale de 100 V
- Courant de drain maximal 18,4 A
- Dissipation de puissance totale maximale 42 W
- Charge de récupération de diode source-drain standard 22.3nC
- Énergie d’avalanche drain-source non répétitive maximale 13.8mJ
- Plage de température de jonction de -55 °C à +175 °C
Publié le: 2024-03-19
| Mis à jour le: 2024-04-04