Nexperia MOSFET à canal N PSMN1R9 et PSMN2R3
Les MOSFET à canal N PSMN1R9 et PSMN2R3 de Nexperia sont conçus pour des performances et une fiabilité extrêmes. Les appareils PSMN de Nexperia font partie de la gamme de MOSFET à application spécifique (ASFET) de Nexperia. Les MOSFET sont spécialement conçus pour les applications de démarrage progressif et permutables à chaud et sont homologués pour fonctionner à une température pouvant atteindre 175 °C. Les composants disposent d'un faible RDSon et de performances de zone de fonctionnement sécurisée améliorées, ce qui en fait un choix idéal pour les applications de gestion de l'alimentation exigeantes. Le boîtier LFPAK88 à pince en cuivre de MOSFET fournit une haute fiabilité et est suffisamment robuste pour supporter des courants d'appel importants lors de la mise sous tension. Avec un faible RDSon et un rendement optimisé, les PSMN1R9 et PSMN2R3 sont des solutions de pointe pour les systèmes de gestion de l'alimentation.
Caractéristiques
- Zone de fonctionnement sécurisée (SOA) entièrement optimisée pour un fonctionnement en mode linéaire supérieur
- Faible RDSon pour de faibles pertes de conduction I2R
- Boîtier LFPAK88 pour les applications qui exigent les plus hautes performances et fiabilité
Applications
- Permutable à chaud
- Commutateur de charge
- Démarrage progressif
- Fusible électronique
- Systèmes de télécommunications et d'informatique basés sur un panneau arrière/rail d'alimentation 48 V
Produits associés
Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs
Standard and logic level N-channel MOSFETs in LFPAK, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages.
Ressources supplémentaires
Publié le: 2023-02-07
| Mis à jour le: 2023-02-27