RF haute performance NXP

NXP permet aux concepteurs de satisfaire aux caractéristiques techniques des applications RF les plus exigeantes. Grâce aux produits RF NXP, vous pouvez concevoir des systèmes satisfaisant aux exigences les plus strictes en termes de performance tout en gardant un compromis possible au niveau du rendement, de la puissance, de la solidité, de la constance et des niveaux d'intégration. Que vous cherchiez à améliorer la performance RF, conceviez une chaîne de signal à haute efficacité ou que vous révolutionniez l'industrie avec une application ISM innovante, la pensée créatrice et l'assistance experte de NXP peuvent vous aider tout au long du parcours.

Véritable leader de l'industrie dans le domaine des produits RF haute performance, NXP expédie plus de 4 milliards de produits tous les ans. Ces produits RF haute performance jouent un rôle crucial dans diverses applications - des récepteurs satellites, stations de base cellulaires et émetteurs de diffusion aux applications ISM (industrielles, scientifiques et médicales), aérospatiales et de défense. L'architecture innovante des amplificateurs de puissance Doherty, les interfaces de données sérielles JESD204A et les LNA GPS miniatures sont parmi les innovations sans fin que NXP met à votre portée.

Ressources RF haute performance NXP

Transistors de puissance RF de NXP pour les applications de diffusion, ISM, de défense et aérospatiales - Vidéo
Diodes Varicap NXP
Pourquoi choisir les diodes Varicap de NXP Semiconductors :
  • Processus de correspondance directe
  • Tolérances réduites
  • Portefeuille complet couvrant une plage de fréquence large et un éventail de boîtiers (y compris sans plomb)
Guide de sélection des diodes Varicap
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeCapacitéTaux de réglage minimalVr - Reverse Voltage
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Diodes PIN NXP
Pourquoi choisir les diodes PIN de NXP Semiconductors :
  • Large éventail
  • Performances inégalées
  • Faible inductance série
  • Perte d'insertion faible
  • Faible valeur de capacité
Guide de sélection des diodes PIN
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeCapacité maximale de la diodeIf - Forward CurrentIr - Reverse CurrentVf - Forward VoltageVr - Reverse Voltage
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Diodes Schottky NXP
Pourquoi choisir des diodes Schottky NXP Semiconductors :
  • Capacité de diode (très) faible
  • Tension directe (très) faible
  • Diode simple et triplement isolée
  • Boîtier (ultra / très) compact

Guide de sélection des diodes Schottky
Référence pièceBoîtier / EnveloppeVrrm - Tension inverse répétitiveIf - Courant directConfigurationVf - Tension directeIr - Courant inverseIfsm - Courant de surtension directFiche technique









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MMIC RF

Les MMIC (CI à micro-ondes monolithiques) RF de NXP compensent automatiquement les variations de température et de traitement. Ils réduisent considérablement les exigences d'espace sur la carte, en intégrant des transistors, des résistances et des condensateurs dans un seul composant. La sélection étendue de blocs de gain 50 Ω et de composants à faible bruit de NXP ne nécessite pas de composants externes correspondant, réduisant ainsi les coûts globaux des systèmes et augmentant la fiabilité.

Guide de sélection des MMIC RF
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeP1dB - Compression PointFréquence de fonctionnementNF - Noise FigureOIP3 - Third Order Intercept
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Modules RF

NXP est un des plus grands fournisseurs mondiaux de produits de télévision par câble, offrant des récepteurs optiques, des doubleurs de puissance, des push-pulls et des amplificateurs d'inversion. Nous proposons également des solutions complètes pour un éventail de systèmes de réseaux optiques, fabriqués à l'aide des tous derniers procédés.

Guide de sélection des récepteurs optiques
Référence pièceBoîtier / EnveloppeDescriptionFiche technique




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Guide de sélection des doubleurs de puissance
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeGainFréquence de fonctionnementOperating Supply Current
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Guide de sélection des push-pulls
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeGainFréquence de fonctionnementOperating Supply Current
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Guide de sélection des amplificateurs d'inversion
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeGainFréquence de fonctionnementOperating Supply Current
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Transistors bipolaires RF NXP

Classés en fonction de la fréquence de transition et des performances bruit / gain, les transistors à bande large de NXP offrent toute une palette d'options de boîtier, de procédé et de caractéristiques techniques. La gamme en est désormais à sa 7e génération, offrant des fréquences de fonctionnement comprises entre 100 MHz et 20 GHz

Transistors bipolaires RF NXP de 5e-7e génération
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeTension VCEO max. collecteur-émetteurOperating FrequencyCourant collecteur continuPd - Power Dissipation
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FET à signal faible

NXP offre un large éventail de FET à signal faible RF éprouvés, depuis les MOSFET à double grille et canal N jusqu'aux JFET à canal P dédié pour les applications de commutation.

Guide de sélection de FET de jonction à canal N
Référence pièceBoîtier / EnveloppeVds - Tension de rupture drain-sourceVgs - Tension de rupture grille-sourceId - Courant continu de drainRds On - Résistance drain-sourcePd - Dissipation d'énergieFiche technique








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Guide de sélection des FET de jonction à canal N pour la commutation
Référence pièceBoîtier / EnveloppeVds - Tension de rupture drain-sourceVgs - Tension de rupture grille-sourceId - Courant continu de drainPd - Dissipation d'énergieFiche technique







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Guide de sélection des MOSFET double grille à canal N
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeVds - Tension de rupture drain-sourceVgs - Gate-Source VoltageId - Courant continu de drainPd - Dissipation d'énergie
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Guide de sélection des MOSFET simple grille à canal N
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeVds - Tension de rupture drain-sourceVgs th - Tension de seuil grille-sourceId - Courant continu de drainRds On - Résistance drain-sourceVgs - Gate-Source Voltage
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Guide de sélection des FET de jonction à canal P pour la commutation
Référence pièceBoîtier / EnveloppeVds - Tension de rupture drain-sourceVgs - Tension de rupture grille-sourceId - Courant continu de drainFiche technique






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Transistors de puissance RF

En plus des solutions bipolaires, NXP, le leader mondial des LDMOS, vous propose une gamme de transistors de puissance RF qui offre les meilleurs rendement, puissance, robustesse et couvre toutes les plages de fréquence pour les applications de station de base, de diffusion / ISM, aérospatiales et de défense.


Guide de sélection des transistors de puissance RF
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeVds - Tension de rupture drain-sourceId - Courant continu de drainVgs - Gate-Source VoltageRds On - Résistance drain-source
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Transistor à micro-ondes RF

NXP Semiconductors propose des transistors à micro-ondes BFU7xxF avec faible bruit et haute linéarité dans un boîtier SOT343F plastique à double émetteur 4 broches. Les transistors à micro-ondes BFU710F se caractérisent par un gain de puissance maximal élevé de 14 dB à 12 GHz et une valeur de bruit = 1,45 dB à 12 GHz. Les transistors à micro-ondes BFU710F se caractérisent par un point d'interception du troisième ordre maximal en sortie de 32 dBm à 1,8 GHz. Les transistors à micro-ondes BFU710F se caractérisent par une puissance maximale élevée en sortie à 1 dB et une compression de 20 dBm à 1,8 GHz. Les applications pour les transistors à micro-ondes BFU7xxF de NXP Semiconductors sont notamment les applications à haute linéarité, les applications de puissance de sortie moyenne, GPS, Zigbee et Bluetooth.

Guide de sélection des transistors à micro-ondes RF
Référence pièceFiche techniqueBoîtier / EnveloppeTension VCEO max. collecteur-émetteurCourant collecteur continuCollecteur de courant continu/Gain hfe min. de basePd - Power Dissipation
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Cartes d'évaluation des transistors à micro-ondes RF
Référence pièceDescriptionL'outil sert à l'évaluation deFiche technique




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Publié le: 2010-10-11 | Mis à jour le: 2026-01-29