Omron Electronics Modules de relais MOSFET G3VM-MT
Les modules de relais MOSFET G3VM-MT d’Omron Electronics offrent une mesure de haute précision et améliorent la productivité des composants électroniques Les relais disposent d’une structure de circuit de type T composée d’une taille compacte et d’un cycle de vie plus long. La structure du circuit se compose de trois relais MOSFET qui aident à réduire le courant de fuite à un niveau minimal sans affecter la précision. Ces modules sont disponibles en variantes 21 mT, 61 mT et 101 mT. Le G3VM-MT permet des signaux de mesure de commutation dans les équipements de test principalement utilisés pour effectuer des tests électriques pour les dispositifs à semi-conducteurs.Caractéristiques
- Contribue à réduire l'espace de montage sur la carte de circuit imprimé par un petit boîtier
- Fuite de courant lorsque la ligne principale est ouverte et que la sous-ligne est fermée : 1 pA (maximum) à VOFF= 20 V
- Forme de contact : 1 A (SPST-NO) + fonction de commutateur T
- Montage en surface
Caractéristiques techniques
- Courant de fuite : 1 pA max.
- Tension de charge max. de 20 V à 100 V
- courant de charge continu max. de 200 mA à 500 mA
- Résistance max. avec sortie ON de 8 à 0,4 Ω
- Capacité entre bornes de sortie : de 0,6 à 23 pF
- Courant direct max. de déclenchement LED de 3 mA à 25 °C
Vidéos
Structure 3-MOSFET (module T)
View Results ( 3 ) Page
| Numéro de pièce | Fiche technique | Courant nominal de la charge | Tension de voltage de la charge | Forme du contact de relais | Style du raccordement | Résistance à l'état passant maximale | Type de sortie |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3VM-21MT(TR01) | ![]() |
200 mA | 20 VAC, 20 VDC | 1 Form A (SPST-NO) | SMD/SMT | MOSFET | |
| G3VM-61MT(TR01) | ![]() |
800 mA | 60 VAC, 60 VDC | 1 Form A (SPST-NO) | Solder Pad | 800 mOhms | MOSFET |
| G3VM-101MT(TR01) | ![]() |
550 mA | 100 VAC, 100 VDC | 1 Form A (SPST-NO) | Solder Pad | 1.5 Ohms | MOSFET |
Publié le: 2020-01-08
| Mis à jour le: 2024-03-25

