MOSFETs PowerTrench® à canal N de Fairchild Semiconductor
Les MOSFETs PowerTrench® à canal N ont été produits en utilisant le processus avancé de semi-conducteur PowerTrench® de Fairchild, optimisé pour réduire la résistance à l'état passant et conserver des performances de commutation supérieures. Les MOSFETs PowerTrench® à canal N de Fairchild Semiconductor sont disponibles dans des caractéristiques drain-source variées, de 30 à 250 V.
Le FDD10N20LZ et le FDD7N25LZ sont des transistors à effet de champ à puissance améliorée, à canal N, qui sont fabriqués à partir de la technologie DMOS à bande planaire, une exclusivité Fairchild. Cette technologie de pointe a été conçue pour minimiser la résistance à l'état passant, offrir des performances de commutation supérieures et supporter des impulsions de haute énergie en mode commutation et avalanche. Ces dispositifs sont bien adaptés aux alimentations de mode commutation à haut rendement et à la correction active du facteur de puissance.
Le FDMC6296 est un MOSFET à canal N unique dans un boîtier thermique optimisé MicroFET spécialement conçu pour offrir des performances supérieures dans les convertisseurs à point de charge. Offrant un équilibre optimisé entre RDS(on) et charge de grille, ce dispositif peut efficacement être utilisé en tant que commutateur de contrôle de côté haut ou en tant que redresseur synchrone de côté bas.
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