onsemi MOSFET SUPERFET III FCB125N65S3

Le MOSFET   Onsemi  FCB125N65S3 SUPERFET III est un MOSFET Super-Jonction (SJ) à haute tension qui utilise la technologie d'équilibre de charges pour d'exceptionnelles faiblesse de résistance à l'état passant et performances de charge de grille. Cette technologie limite la perte de conduction, offre des performances supérieures de commutation et résiste à des taux extrêmes de variation dv/dt. Le SUPERFET  III onsemi FCB125N65S3 aide à gérer les problèmes d'EMI et facilite la mise en œuvre de la conception. Les applications typiques comprennent les télécommunications/ alimentations électriques de serveurs, les alimentations électriques industrielles et les alimentations sans interruption (ASI)/solaires.

Caractéristiques

  • MOSFET SJ à haute tension
  • Utilise la technologie d'équilibrage de charge
  • Réduit au minimum la perte de conduction
  • Affiche des performances de commutation supérieures
  • Supporte une vitesse dv/dt extrême
  • 650 V de tension entre drain et source (VDSS)
  • 125 mΩ maximum sous 10 V résistance entre drain et source RDSON
  • 46 nC standard basse charge de grille Qg
  • 439 pF standard basse efficacité de capacité de sortie Coss(eff)
  • 100 % testé en avalanche

Applications

  • Alimentations électriques télécom/de serveurs
  • Alimentations électriques industrielles
  • ASI/solaires

Graphe de performances

Graphique des performances - onsemi MOSFET SUPERFET III FCB125N65S3
Publié le: 2020-08-14 | Mis à jour le: 2024-05-29