onsemi IGBT FGHL50T65SQDT
L'IGBT FGHL50T65SQDT d'Onsemi est un IGBT à arrêt de champ de 4e génération offrant des performances optimales. Ces IGBT permettent une mise en parallèle facile grâce à de faibles pertes de conduction et de commutation. L'IGBT FGHL50T65SQDT d'Onsemi est parfaitement adapté aux applications pour lesquelles de faibles pertes de conduction et de commutation sont essentielles, y compris les convertisseurs solaires, les alimentations sans interruption (ASI), les télécommunications, les systèmes de stockage d'énergie (ESS) et la correction du facteur de puissance (PFC).
Caractéristiques
- Coefficient de température positif
- VCE(sat) standard de 1,47 V à IC de 50 A, faible tension de saturation
- Coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle facile
- Commutation rapide
- Température de jonction maximale de +175 °C
- Capacité de courant élevé
- Tous les composants sont testés ILM
- Haute impédance d'entrée
- Distribution étroite des paramètres
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Convertisseurs solaires
- Onduleurs (ASI)
- Télécommunications
- ESS
- PFC
Caractéristiques techniques
- Tension collecteur-émetteur de 650 V
- Tension grille-émetteur de ±20 V
- Tension grille-émetteur transitoire de ±30 V
- Courant collecteur de 100 A à TC = 25 °C
- Courant collecteur de 50 A à TC = 25 °C
- Courant collecteur pulsé de 200 A
- Courant direct de la diode de 75 A à TC = 25 °C
- Courant direct de la diode de 50 A à TC = 25 °C
- Courant direct maximum pulsé de la diode de 300 A
- Puissance dissipable admissible de 268 W à TC = 25 °C
- Puissance dissipable admissible maximum de 134 W à TC = 100 °C
- Plage de température de stockage / de jonction en fonctionnement de -55 à +175 °C
- Température maximale du fil de soudage à 1/8" du boîtier pendant 5 secondes
Présentation générale
Publié le: 2020-06-16
| Mis à jour le: 2024-06-05