onsemi MOSFET monocanal N NTBS9D0N10MC

Le MOSFET monocanal N NTBS9D0N10MC onsemi dispose d'une faible résistance drain-source R_DS(ON) qui réduit au minimum les pertes de conduction. Ce MOSFET permet d'obtenir une charge de grille (Q_G) et capacité totales faibles qui minimise les pertes de pilote. Le MOSFET NTBS9D0N10MC Onsemi réduit le bruit de commutation/brouillage électromagnétique (EMI). Ce MOSFET dispose d'une tension drain-to-source de 100 V (V_DSS) et d'un courant de drain continu de 60 A maximum (I_D). Les applications typiques comprennent les outils électriques, les aspirateurs alimentés par batterie, les véhicules aériens sans pilote (UAV)/drones, la manipulation des matériaux, les systèmes de gestion de batterie (BMS)/stockage et la domotique.