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onsemi MOSFET de puissance à canal unique N

Les MOSFET de puissance à canal unique N d'onsemi sont des MOSFET compacts et de faible encombrement avec un faible RDS(on) et une faible capacité. La faible valeur RDS(on) aide à minimiser les pertes de conduction, et la faible capacité minimise les pertes du pilote. Ces MOSFET de puissance à canal unique N sont sans Pb et conformes à la directive RoHS. Leur plage de température de fonctionnement s'étend de -55 °C à +175 °C.

Caractéristiques

  • Faible RDS(on) pour minimiser les pertes par conduction
  • Faible capacité pour minimiser les pertes du pilote
  • Sans plomb et conforme à la directive RoHS
  • Faible encombrement pour une conception compacte
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C
  • Flancs mouillables (NVMFS5C406NLW, NVTFWS003N04C, NVTFWS015N04C)
  • Qualification AEC-Q101 et capacité PHPP (NVTFWS015N04C, NVTFWS003N04C, FDBL9406L-F085, NVMFS5C406NLWF)

Caractéristiques techniques

  • Plage de tension de claquage drain-source de 30 V à 650 V
  • Plage de courant de vidange continu de 27 A à 464 A
  • Plage de résistance du drain-source de 520 µΩ à 950 mΩ
  • Plage de tension de seuil de 1,2 V à 4,5 V à la source de la grille
  • Plage de charge de grille de 6,3 nC à 178 nC
  • Plage de dissipation de puissance de 3,2 W à 340 W

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Numéro de pièce Fiche technique Description Package/Boîte Pd - Dissipation d’énergie Qg - Charge de grille Vgs th - Tension de seuil grille-source Rds On - Résistance drain-source Id - Courant continu de fuite Délai d'activation standard Délai de désactivation type Temps de montée Temps de descente
NTMFS006N12MCT1G NTMFS006N12MCT1G Fiche technique MOSFET PTNG 120V SG SO-8FL-4 104 W 42 nC 4 V 6 mOhms 93 A
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Publié le: 2019-07-22 | Mis à jour le: 2025-07-16