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onsemi EEPROM série Microwire 16 Ko CAT93C86

Le CAT93C86 EEPROM série Microwire 16 ko d’onsemi est un dispositif mémoire configuré comme des registres de 16 bits (broche ORG à VCC) ou 8 bits (broche ORG à GND). Chaque registre peut être écrit (ou lu) en série en utilisant la broche DI (ou DO). Le CAT93C86 d'onsemi est fabriqué à l’aide d’une technologie avancée de grille flottante EEPROM CMOS. Le dispositif est conçu pour résister à 1 million de cycles de programmation/effacement et a une rétention de données de 100 ans. Le composant est disponible en boîtiers DIP à 8 broches et SOIC à 8 broches.

Caractéristiques

  • 3 MHz/VCC = fonctionnement à haute vitesse 5 V
  • Technologie CMOS à basse consommation
  • Exploitation de 1,8 V à 5,5 V
  • Organisation de la mémoire sélectionnable x8 ou x16
  • Cycle d'écriture auto temporisé avec auto effacement
  • Protection en écriture matériel et logiciel
  • Protection en écriture contre coupure involontaire lors de la mise sous tension
  • Lecture séquentielle
  • Broche d’activation de programme (PE)
  • 1 million de cycles de programmation/effacement
  • Rétention des données sur 100 ans
  • Plages de températures industrielles et étendues
  • Boîtiers PDIP et SOIC 8 fils
  • Sans plomb, sans halogène/sans RFB et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Stockage de données
  • Interfaces de microcontrôleur
  • Produits électroniques grand public
  • Automatisation industrielle
  • Automobile
  • Cartes intelligentes
  • Équipements de réseaux
  • Dispositifs médicaux

Caractéristiques techniques

  • Température de -55 °C à +125 °C sous la plage de polarisation
  • Capacité de dissipation de puissance maximale du boîtier de 1,0 W
  • Courant de court-circuit de sortie maximal de 100 mA
  • Fonctionnement CC
    • Courant d’alimentation d’écriture maximal de 3 mA
    • Courant d’alimentation de lecture maximal de 500 µA
    • Courant d’alimentation maximal de 10 µA (modes veille, x8 et x16)
    • Courant de fuite entrée/sortie maximal de 1 µA
    • Plage de tension de sortie de 0,4 V à 2,4 V
  • Capacité maximale des broches entrée/sortie de 5 pF
  • Mise sous tension maximale pour un fonctionnement en lecture/écriture de 1 ms
  • Sensibilité aux DES minimale de 2 000 V
  • Verrouillage minimum de 100 mA selon la norme JEDEC 17
  • Test CA
    • Temps de montée/descente d’entrée de ≤50 ns
    • Plage de tension d’impulsion d’entrée de 0,4 V à 2,4 V
    • Options de tension de référence de synchronisation de 0,8 V et 2,0 V

Schéma de fonctionnement

Schéma de principe - onsemi EEPROM série Microwire 16 Ko CAT93C86

Dimensions du boîtier

Plan mécanique - onsemi EEPROM série Microwire 16 Ko CAT93C86

Fiches techniques

Publié le: 2024-10-22 | Mis à jour le: 2026-01-07