onsemi Transistors numériques bipolaires NPN

Les transistors numériques bipolaires NPN d'onsemi sont des réseaux de résistances de polarisation monolithiques conçus pour remplacer un composant unique  et son réseau de polarisation par résistance externe. Ces transistors à résistances de polarisation (BRT) sont composés de deux résistances : une résistance de base en série (22 kΩ) et une résistance base-émetteur (47 kΩ).  Le BRT élimine les composants individuels et les intègre dans un seul dispositif. Ce BRT est homologué AEC-Q101  et compatible PHPP. Le BRT est sans Pb, sans halogène/BFR et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent la protection contre l'inversion de polarité,  le pilote de sortie de convertisseurs CC-CC et la commutation haute vitesse.

Caractéristiques

  • Réduit l’espace sur la carte
  • Réduit le nombre de composants
  • Simplifie la conception des circuits
  • Qualifié AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Sans plomb et sans halogène/BFR
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Protection d'inversion de la batterie
  • Pilotes de sortie de convertisseur CC-CC
  • Commutation rapide

Caractéristiques techniques

  • Résistance de base 22 kΩ et résistance base-émetteur 47 kΩ
  • Courant collecteur de 100 mA CC
  • Tension inverse d’entrée de 8 VCC
  • Tension directe d’entrée de 40 VCC
  • Tension collecteur-base (VCBO) et tension collecteur-émetteur (VCEO) de 50 V CC

Connexion des broches

Schéma de principe - onsemi Transistors numériques bipolaires NPN
Publié le: 2023-12-13 | Mis à jour le: 2026-06-17