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onsemi Transistors PNP à usage général NST807

Les transistors PNPà usage général NST807 d'Onsemi sont conçus pour les applications de commutation et les amplificateurs à usage général. Le NST807 d'Onsemi offre une haute performance et une fiabilité, ce qui le rend adapté à une utilisation dans les circuits à faible puissance, dans le traitement des signaux et les applications électroniques générales. Le transistor présente une tension collecteur-émetteur (VCE) maximale de 40 V et un courant collecteur (I C ) maximum (IC ) de 3 A offrant une polyvalence pour une plage de conceptions. Grâce à sa faible tension de saturation et ses vitesses de commutation rapides, le NST807 est souvent choisi pour les circuits à haute efficacité. De plus, son boîtier compact DFN1010-3 permet des conceptions économes en espace, ce qui fait du NST807 un excellent choix pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. Le dispositif est conçu pour offrir des performances robustes, avec une courbe caractéristique bien définie qui garantit stabilité et fiabilité dans diverses conditions environnementales.

Caractéristiques

  • Boîtier à flanc mouillable XDFNW3 pour une inspection optique automatisée (AOI) optimale
  • Préfixe NSV pour les applications automobile et autres applications nécessitant des exigences particulières en matière de site et de contrôle, certifié AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1
  • Sans plomb, sans halogène/RFB et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Circuits de commutation
  • Circuits d'amplification
  • Régulation de tension linéaire
  • Circuits analogique
  • Circuits convertisseurs et oscillateurs
  • Circuits push-pull complémentaires
  • Contrôle du moteur et de la charge
  • Conception de l'alimentation électrique

Caractéristiques techniques

  • Tension collecteur-émetteur/base maximale de -45 VCC
  • Tension émetteur-base maximale de -5 0 VCC
  • Dissipation d'énergie totale de 350 mW à TA = +25 °C, réduction de 2,8 mW/°C au-delà de +25 °C
  • Signal faible
    • Fréquence de commutation standard de 360 MHz
    • Capacité de sortie standard de 6 pF
    • Capacité d'entrée standard de 58 pF
    • Impédance d'entrée standard de 16k
    • Facteur de bruit standard de 0,79 dB
  • Caractéristiques de commutation
    • Temps de retard typique de 10 ns
    • Temps de montée typique de 14 ns
    • Temps de stockage standard de 300 ns
    • Temps de descente typique de 51 ns
  • Courant collecteur continu maximal de 500 mA, pic de 1 0 A
  • Résistance thermique jonction-ambiante de 145 °C/W
  • Plage de température de jonction de -65 °C à +150 °C

Schéma

Schéma - onsemi Transistors PNP à usage général NST807

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Publié le: 2025-02-26 | Mis à jour le: 2025-03-04