onsemi Transistors PNP NST856MTWFT

Les transistors PNP NST856MTWFT d'onsemi sont conçus pour les applications d’amplificateur à usage général. Ces transistors sont logés dans un boîtier DFN1010-3 compact avec des flancs mouillables, requis pour l’industrie automobile. Les transistors NST856MTWFT sont  sans plomb, sans halogène, sans BFR et conformes à la directive RoHS. Ces transistors fonctionnent à une tension collecteur-émetteur 65 V et à un courant collecteur continu de 100 mA. Les transistors NST856MTWFT sont idéaux pour les applications à montage en surface et faible puissance.

Caractéristiques

  • Boîtier à flanc mouillable pour une inspection optique automatisée (AOI) optimale
  • Préfixe NSV pour l’automobile et d’autres applications nécessitant un site unique et des exigences de changement de contrôle
  • Certifié AEC-Q101 et compatible PPAP
  • Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage de -65 °C à 150 °C
  • Les dispositifs sont sans plomb, sans halogène, sans BFR et conformes à la directive RoHS

Applications

  • Commutation et amplification à usage général
  • Unité de contrôle électronique (ECU) automobile

Dimensions du boîtier

Plan mécanique - onsemi Transistors PNP NST856MTWFT
Publié le: 2024-09-15 | Mis à jour le: 2024-10-22