onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL075N065SC1
Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL075N065SC1 d'onsemi offrent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. Le NTHL075N065SC1 d'onsemi dispose d'une faible résistance à l'état passant et la taille compacte de la puce garantit une faible capacité et une faible charge de grille. Les systèmes présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.
Caractéristiques
- Rayonnement std. RDS(on) = 57 mΩ sous VGS = 18 V
- Rayonnement std. RDS(on) = 75 mΩ sous VGS = 15 V
- Charge de grille ultra-faible (QG(tot) = 61 nC)
- Faible capacité de sortie (Coss = 107 pF)
- 100 % testé en avalanche
- TJ = 175 °C
- Ce composant est sans halogénure et conforme à la directive RoHS avec exemption 7a, 2LI sans Pb (sur interconnexion de deuxième niveau)
Applications
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Onduleurs solaires
- Alimentations sans interruption (ASI)
- Stockages d'énergie
Produits associés
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2023-01-05
| Mis à jour le: 2023-03-21