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onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N

Les MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N d'onsemi avec protection DES sont des MOSFET robustes optimisés pour les applications de commutation à haut rendement. Intégrés dans un boîtier compact SOT-723 3 fils, les composants NTK3134N d'onsemi offrent un faible RDS(on) de 0,20 Ω à 4,5 V, ce qui minimise les pertes de conduction et améliore les performances thermiques. Avec une tension nominale drain-source de 20 V et une capacité de courant de drain continu à l'état stable de 890 mA (maximum), les MOSFET NTK3134N sont idéaux pour une utilisation dans l'électronique portable, les convertisseurs CC-CC et les circuits de commutateur de charge. Des vitesses de commutation rapides et une faible charge de grille contribuent à une consommation d'énergie réduite et à une efficacité globale du système améliorée, ce qui fait de ces MOSFET un choix fiable pour les conceptions à espace restreint et sensibles à la puissance.

Caractéristiques

  • Commutateur à canal N avec faible RDS(on)
  • Empreinte 44 % plus petite et 38 % plus fine que le SC89
  • Bas niveaux de seuil permettant une valeur nominale RDS(on) de 1,5 V
  • Fonctionnement avec une grille de niveau logique faible
  • Boîtier 3 fils SOT-723, 631AA, style 5
  • Sans plomb, sans halogène/sans RFB et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Gestion de batterie pour l'électronique portable ultra-compacte
  • Commutation de charge/puissance
  • Commutation d'interface
  • Décalage de niveau logique

Caractéristiques techniques

  • Caractéristiques d'arrêt
    • Tension de rupture minimale drain-source de 20 V
    • Coefficient de température de la tension de rupture drain-source standard de 18 mV/°C
    • Courants de drain de tension de grille nul
      • -1,0 µA maximum à +25 °C
      • -2,0 µA standard à +125 °C
    • Courant de fuite grille-source maximum de ±0,5 µA à ±4,5 VGS
  • Caractéristiques de mise en marche
    • Plage de tension de seuil de grille de 0,45 V à 1,2 V
    • Coefficient de température de seuil négatif standard de 2,4 mV/°C
    • Plage maximale de résistance drain-source à l'état passant de 0,35 Ω à 1,2 Ω
    • Transconductance directe standard de 1,6 S
  • Capacitances
    • Capacité d'entrée standard de 79 pF
    • Capacité de sortie standard de 13 pF
    • Capacité de transfert inverse standard de 9,0 pF
  • Caractéristiques de commutation
    • Délai de passage à la fermeture standard : 6,7 ns
    • Temps de montée standard de 4,8 ns
    • Délai de passage à l'ouverture standard de 17,3 ns
    • Temps de descente standard de 7,4 ns
  • Caractéristiques de la diode drain source
    • Tension directe diode standard de 0,75 V
    • Temps de récupération inverse standard de 8,1 ns
    • Temps de charge standard de 6,4 ns
    • Temps de décharge standard de 1,7 ns
    • Charge de récupération inverse standard de 3,0 nC
  • Plage RDS(on) standard de 0,2 Ω (à 4,5 V) à 0,56 Ω (à 1,5 V)
  • Tension maximale grille-source de ±8 V
  • Plage de courant de drain continu à l'état stable de 640 mA à 890 mA
  • Dissipation d'énergie maximale à l'état stable de 450 mW
  • Courant de drain pulsé maximal de 1,8 A
  • Résistance thermique maximum
    • Résistance thermique jonction-température ambiante à l'état stable : 280 °C/W
    • Résistance thermique jonction-température ambiante : 228 °C/W
    • Résitance thermique jonction au fil à l'état stable, pastille minimum : 400 °C/W
  • Températures
    • Plage de température de fonctionnement de jonction : -55 °C à +150 °C
    • Température maximale de soudage des fils : +260 °C

Schéma

Schéma - onsemi MOSFET de puissance monocanal N NTK3134N
Publié le: 2025-08-29 | Mis à jour le: 2025-09-08