onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X
Le MOSFET de puissance à canal N simple NVBYST0D8N08X d'onsemi est conçu pour répondre aux exigences élevées en matière de puissance et d'applications automobiles. Basé sur la technologie MOSFET avancée d'onsemi, le NVBYST0D8N08X allie de faibles pertes de conduction à des performances de commutation robustes, ce qui en fait un dispositif judicieux pour les conceptions nécessitant à la fois efficacité et durabilité. Le MOSFET est optimisé pour une exploitation à des tensions élevés et résiste aux commutation rapides et aux contraintes de courant élevé couramment rencontrées avec la conversion d'énergie, le contrôle de moteur et les circuits de commutation de charge.
L’une des caractéristiques clés du MOSFET NVBYST0D8N08X d’onsemi est sa faible résistance en conduction, qui contribue à réduire la génération de chaleur et à améliorer l’efficacité globale du système, en particulier dans des conditions de charge importante. Le dispositif offre également une capacité d'avalanche solide et une structure de grille robuste, contribuant à une exploitation fiable dans des environnements électriquement bruyants. Préparé pour des applications de puissance à montage en surface, le NVBYST0D8N08X prend en charge une gestion thermique efficace et une intégration simple sur le PCB, bien adapté aux conceptions compactes et haute puissance où l’espace importe autant que la fiabilité.
Caractéristiques
- Faible QRR, diode de corps à récupération progressive
- Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
- Faible QG et capacité pour minimiser les pertes du pilote
- Boîtier TCPAK1012 (DFLPAK16 [TopCool] boîtier 762AA)
- Qualifié AEC-Q101 et capable de PHPP
- Sans plomb, sans halogène/RFB et conforme à la directive RoHS
Applications
- Redressement synchrone (SR) en CC-CC et CA-CC
- Commutateurs primaires dans les convertisseurs CC-CC isolés
- Entraînements à moteur
- Systèmes automobiles 48 V
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source maximale de 80 V
- Tension grille-source maximale de ±20 V
- Courant de drain continu maximal de 455 A à 643 A
- Résistance drain-source maximale de 0,79 mΩ
- Courant de fuite source-grille maximal de 100 nA
- Puissance dissipable admissible maximale de 652 W à +25 °C
- Courant de drain en impulsion maximal de 1 976 A
- Courant continu source-drain maximal (diode de corps) de 1 097 A
- Énergie d'avalanche à simple impulsion maximum de 871 mJ
- Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à +175 °C
- Température maximale de brasure des pattes de +260 °C
- Caractéristiques thermiques
- Résistance thermique jonction-boîtier (dessus) de 0,23 °C/W
- Résistance thermique jonction-ambiant de 38 °C/W
- Paramètre de caractérisation thermique jonction-broche source (broches 1-7) de 3,9 °C/W
- Paramètre de caractérisation thermique jonction-broche drain (broches 9-16) de 3,3 °C/W
Schéma
Publié le: 2026-03-20
| Mis à jour le: 2026-04-14