onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

Le MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL d’onsemi présente une tension drain-source de 60 V, une résistance drain-source maximale de 39 mΩ. Ce MOSFET à canal N unique bénéficie d’une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supporte des courants élevés. Le MOSFET monocanal N NVD5867NL est spécifié pour une énergie d’avalanche, homologué AEC-Q101 et compatible PHPP. Ce MOSFET à canal N est sans plomb, sans halogène/sans BFR et est conforme à la directive RoHS. Les applications typiques incluent les pilotes de relais/solénoïdes automobiles, les pilotes de lampes automobiles, les pilotes de moteurs automobiles, les pilotes de sortie de convertisseurs CC-CC automobiles et les systèmes d’infodivertissement automobiles.

Caractéristiques

  • Faible RDS(on) permettant de minimiser les pertes de conduction
  • Capacité de courant élevé
  • Particulièrement indiqué pour l'énergie d'avalanche
  • Homologué AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Sans plomb et sans halogène/BFR
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Pilotes de relais/solénoïdes automobiles
  • Pilotes de lampes automobiles
  • Pilotes de moteurs automobiles
  • Pilotes de sortie de convertisseurs CC-CC automobiles
  • Systèmes d’infodivertissement automobiles

MOSFET à canal N

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL
Publié le: 2025-11-10 | Mis à jour le: 2025-12-29