onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L015N065SC1
Les MOSFET NVH4L015N065SC1 au carbure de silicium (SiC) ont des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles de ceux au silicium. Le NVH4L015N065SC1 onsemi présente une basse résistance à l'état passant et sa taille compacte de puce permet de réduire la capacité et lacharge de grille. Les systèmes présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.
Caractéristiques
- Certifié pour l'automobile AEC−Q101
- Valeur nominale de 650 V
- RDS(on) max = 18 mΩ sous Vgs = 18 V, Id = 75 A
- Commutation à haute vitesse et faible capacité
- Testé 100 % UIL
- Les dispositifs sont conformes à la directive RoHS
Applications
- CC/CC automobile et PFC
- Convertisseur de traction automobile
MOSFET associés
onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V
Assurent des performances de commutation plus optimales et une meilleure fiabilité que les diodes en silicium.
onsemi Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC
Gamme complète de pilotes de grille et de MOSFET Elite qui, lorsqu’ils sont associés, améliorent les performances thermiques.
En savoir plus sur EliteSiC
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2023-01-05
| Mis à jour le: 2024-06-18